PDM系统中几个关键模块实现方法的研究

在阐述PDM概念、功能和体系结构的基础上，重点讨论了在PDM系统开发中的工作流程管理、权限管理及BOM汇总的几个关键模块，并分别探讨了这些模块的实现方法。     

热环境对FGM壳模态频率的影响

为了推动功能梯度材料(FGM)在高超音速飞行器热防护结构设计中的应用,旨在探讨不同温度场对热防护壳模态频率的影响,提供热防护壳动力学设计参考。从陶瓷金属基FGM的热物性参数模型入手,结合圆柱薄壳能量原理,建立FGM圆柱壳的模态方程。在此基础上,首先分析热物性参数变化规律对FGM壳模态频率的影响,然后探讨考虑热应力后不同热环境下FGM壳模态频率的变化规律。结果表明,FGM物性参数变化对模态频率的影响没有热力耦合影响明显;温度梯度300 K时,物性参数变化对模态频率起主导作用,反之温度梯度300 K时,热应力和热变形对模态频率起主导作用。     

新型带吸收式热泵热电联产机组的技术经济分析

针对带吸收式热泵回收利用冷端潜热用于供热的新型热电联产机组,以某电厂300MW供热机组为对象,利用Aspen软件建立相关数学模型,在保证机组设计最大供热要求不变的前提下,分析机组的热经济性及投资收益,结果表明,新型带吸收式热泵热电联产机组的煤耗下降15.8g/kWh,增加发电18.01MW,而投资回收期少于4a;在最大抽汽工况下,分析将排挤抽汽用于增加区域供热的热经济性及投资收益,结果表明,新型机组煤耗下降63.9g/kWh,增加供热105.28MW,而投资回收期少于3a,是值得推广应用的新型技术。     

餐桌前,最能看出一个家庭的温度

正假期的最后一天,从长春回深圳的路上,闲着无事,重温了一下《教父》。这部电影被誉为"男人的圣经",我每隔一段时间都会拿来重温,当然,常看常新,每次看完这部片子,带给我的体验都不一样。电影里有一个细节,迈克和手下正在谈论帮派事情的时候,迈克的姐姐对着他说了一句话:"父亲从来不会在餐桌上当着孩子们的面谈‘生意’。"当时迈克愣了片刻,然后吩咐手下走出了房间。     

一种柔性太阳电池阵电传输解决方案

柔性太阳电池阵由于其质量轻、收拢体积小、可重复展收等特点,具有极大的创新性和前瞻性,是目前和今后极具竞争力的太阳电池阵构型。针对目前柔性太阳电池阵收拢和折叠特性,传统电缆束和电连接器已经不再适用,急需寻找一种新型薄型结构电传输解决方案。提出了一种柔性电缆电传输方案,这种柔性电缆具有传输功率大、质量轻、收拢体积小、可折叠等特点,非常适合作为大面积、大功率的柔性太阳阵电传输的主方式,可为未来新型太阳电池阵的设计提供新方向、设计参考和技术支撑。     

门座起重机金属结构的测试及寿命估算

对某座旧门座起重机主要承载结构进行了静态、动态强度测试，并估计了剩余疲劳寿命，为进一步合理使用该设备提供参考依据。     

溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.     

延续摩尔定律的新材料——应变Si

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性.阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高.简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析.     

基于组件的分布式油田设备管理系统的研制

在分析油田设备管理现状和需求的基础上,介绍了基于组件的设备管理系统功能模块的组成和内容,提出了将分布式组件技术应用于油田设备管理系统的新思路,并根据这一思路开发了一套面向油田的基于三层客户/服务器(Client/Server,C/S)模式的分布式设备管理系统。该系统在采油厂的实际运行结果表明,系统适合于油田对设备管理的要求,可大大提高油田设备管理水平,对其他行业的设备管理也有借鉴作用。     

溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.