基于PI湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅湿度传感器

研究了基于聚酰亚胺（PI）湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅（FBG）湿度传感器。传感器利用PI薄膜湿膨胀效应,将湿应变作用于Bragg栅区,从而改变光纤FBG湿度传感器中心波长的原理,实现了对26-98％RH范围内环境相对湿度的监测。通过改进PI湿敏薄膜的制备及涂覆工艺,有效提高了FBG湿度传感器性能,并采取了相应温...     

掌控时代脉搏 引领视讯新潮流——专访科达行业视频会议产品线总经理朱曙

延续2010年迅猛发展态势,2011年视频通信领域依旧风云再起．从年初的免费风潮到网真系统的崛起再到移动3G和云计算的应用,乃至于开放协议的渐趋普及等等．特别是在电信运营商加大增值业务投入的推动下．视频通信行业将摆脱桎梏朝向多元化飞速发展。     

建立自然型实时语音讨论系统的双令牌方法

数字语音通信服务是ＣＳＣＷ应用系统的重要组成部分。本文首先分析了自然型语音通信所需遵循的规则，建议使用双令牌来控制发言权，并描述了一个基于双令牌的发言控制协议。在此基础上，我们给出了一个自然型多点语音讨论系统ＶｏｉｃｅＣｈａｔ的设计和实现方案，最后结合某段典型的对话情景给出了应用实例     

节能新型热交换器

世界性的石油危机,促使人们对能源的认识深化了,倍感能源的可贵。西方各国都在千方百计地为能源的合理利用,提高热效率做种种努力。近二十年来,有关热能利用的研究发展有了长足的进步。随着研究开发、设计制造技术的大力推进,新的高效换热设备也随之产生,并在工业生产上迅速得到推广应用,获得了显著的经济效益。近年来,我国对节能的认识亦已逐步深化,已被国家列为重点解决的课题之一。现在国内普     

基于棱镜阵列接收机的多小区可见光系统研究

可见光通信具有环保、安全和能耗低等优点,是第5代移动通信的一个强有力补充。针对多小区多用户多输入多输出可见光通信系统中小区间干扰的问题,文章提出使用基于棱镜阵列的非成像接收机作为接收设备,并讨论了两种多小区划分方案来降低小区间干扰的影响,第1种是动态小区,第2种是非动态小区。仿真结果表明,经过光电探测器选择后,这两种方案都能有效地消除小区间干扰的影响。当用户处于干扰区时,动态小区方案的误比特率(BER)性能更优,但是其计算复杂度较高。当用户都处于非干扰区时,这两种方案的BER性能相同。     

广电5 G传输及架构研究测试平台的构建与设计

根据广电5G未来建设的发展,结合当前传输和架构研究和测试的需求,提出搭建广电5G传输研究测试平台的意义,并对平台进行构建,最后对平台的各个组成部分进行了详细阐述。     

高斯过程模型在SAR图像目标识别中的应用

将高斯过程模型应用于合成孔径雷达（SAR）图像目标识别。高斯过程模型是基于贝叶斯框架的统计学习算法,通过结合核函数和和概率判别构建分类模型。与传统分类模型相比,高斯过程模型可以获得更高的分类效率和精度。方法实施过程中,采用SAR图像的特征矢量作为输入,以目标类别标签作为输出训练高斯过程模型。对于待识别样本,通过计算其在高斯过程模型下属于各个类别的后验概率判定其目标类别。实验中,依托MSTAR数据集在典型条件下开展测试。根据实验结果,所提方法在标准操作条件下对10类目标识别精度达到99.28%;在30°和45°俯仰角下的平均识别率分别为98.04%和73.13%;在噪声干扰各个信噪比条件下均保持最高性能。实验结果验证了所提方法的有效性和稳健性。     

连续型衍射透镜激光直写技术研究

研究了不同于台阶形式的具有连续浮雕结构的衍射聚光透镜的激光直写工艺,简要描述了光致抗蚀剂的曝光和显影,对激光直写工艺的机理和工艺过程进行阐述.利用CLWS-300W/C极坐标激光直写设备制作出了具有良好面形微结构和较高衍射效率的连续型衍射透镜.研究表明,激光直写技术直写精度高,加工工艺灵活,利用计算机的控制,能够根据光学设计产生的浮雕分布数据制作复杂的、任意形状和外形的微型浮雕结构,非常适合于高精度微光学元件的加工制作.     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.     

氮气或氧气气氛退火的氧化铪材料电荷泄漏情况研究

本文中, 使用开尔文探针显微镜,研究了不同退火气氛(氧气或氮气)情况下氧化铪材料的电子和空穴的电荷保持特性。与氮气退火器件相比,氧气退火可以使保持性能变好。横向扩散和纵向泄露在电荷泄露机制中都起了重要的作用。 并且,保持性能的改善与陷阱能级深度有关。氮气和氧气退火情况下,氧化铪存储结构的的电子分别为0.44 eV, 0.49 eV,空穴能级分别为0.34 eV, 0.36 eV。 最后得到,不同退火气氛存储器件的电学性能也与KFM结果一致。对于氧化铪作为存储层的存储器件而言,对存储特性的定性和定量分析,陷阱能级,还有泄漏机制研究是十分有意义的。