W和W/Ti合金靶材的应用及其制备技术

近年来随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,对各种高纯金属及合金溅射靶材的需求量也愈来愈大.本文简要介绍了当前W和W/Ti合金靶材的应用和制备方法等,对W和W/Ti合金靶材未来的制备技术进行了展望.     

Cu-Cr-La合金的热处理工艺研究

研究了固溶处理和时效处理工艺对Cu-0.3Cr-0.3La合金组织、硬度和电导率的影响.结果表明,Cu-0.3Cr-0.3La合金铸态组织粗大,950 ℃保温1 h固溶处理后,晶粒变得细小,富铬第二相明显减少,电导率和硬度较铸态都有所降低;经过950 ℃保温1 h固溶处理Cu-0.3Cr-0.3La合金,在400、450、500、550、600 ℃分别保温2 h时效处理后,硬度和电导率都有很大提高.在500 ℃保温2 h时效处理可获得良好的综合性能,其电导率和硬度分别可达96.3%IACS和99 HV.     

细晶CuCr系触头材料的研究

研究了电弧熔炼法、激光表面重熔法和机械球磨粉末后热压烧结法制备的CuCr50触头材料。结果表明,三种方法获取的CuCr50材料中Cr颗粒均得到细化,远远小于原始尺寸,其中激光表面重熔法的Cr颗粒尺寸最小,为3～5 μm;从含氧量、硬度、电导率综合性能看,以激光表面重熔法最为适宜;在激光输出功率为32kW时,材料的组织与性能最佳。     

高温下渗铝层次外层/过渡层界面空洞带的形成过程

通过高温氧化试验和扫描电镜观察,研究渗铝钢在800℃氧化后次外层,过渡层界面空洞的形态、分布和生成过程,测定空洞平均直径和深度随氧化时间的变化。结果表明,空洞侧面常含有特殊的结晶学小平面,其可能达到的平衡形状在某种程度上依赖于合金晶粒的晶体几何;随氧化时间增加,空洞形态逐渐由圆币型向多边型演变,其分布由沿三维圆锥面立体分布转变为二维平面分布;空洞的生长可以划分为快速生长和稳定生长两阶段;空洞带深度随时间先快速增加而后保持不变。探讨了界面空洞的形成机制和空洞带的形成过程。     

超细Al2O3颗粒增强铜基复合材料的研究

采用热压烧结法制备了超细Al₂O_3P/Cu 复合材料, 并进行了轧制, 对其组织与性能进行观察与分析。结果表明, 超细Al₂O_3P在基体中分布均匀, 细化了晶粒, 具有优于铜及铜合金的抗软化性能和耐磨性能。随着超细Al₂O_3P含量的提高, 密度、电导率降低, 硬度、强度升高, 轧制后的电导率与美国SCM 制品接近。      

原位生成Al2O3/Cu复合材料的新工艺

采用一种新型工艺制备了Al₂O₃/Cu复合材料。高能球磨制备亚稳态的Cu-0.8 wt% Al合金粉,再将Cu₂O粉与其一起进行高能球磨,然后将复合粉末压坯在真空炉中同时进行氧化和烧结。该工艺省略了还原剩余Cu₂O的环节,氧化和烧结时间仅为1 h。生成的Al₂O₃的粒径约250nm,颗粒间距约500 nm,均匀弥散分布;该材料冷加工后性能接近SCM制品性能。该配比的Al₂O₃/Cu复合材料的热稳定性良好,在800℃下循环冷淬20次无裂纹;软化温度为700℃。     

烧结温度对CuWCr复合材料组织和性能的影响

采用分别在1050、1150、1250、1350和1450℃下烧结WCr骨架后熔渗铜的方法制备了CuWCr复合材料,比较了不同温度烧结制备的WCr骨架及其复合材料的显微组织形貌,并研究了不同烧结温度对CuWCr复合材料硬度、电导率及其真空击穿性能的影响.结果表明,烧结温度越高, WCr骨架的合金化程度越高,1450℃下烧结2.5h后,得到完全合金化的WCr固溶体骨架;随着烧结温度的提高,制备的CuWCr复合材料材料的真空耐电压强度提高,截流值变化不大,真空电弧相对稳定,电弧寿命在0.020ms左右.     

论述公路软基地粉喷桩技术的应用

笔省论述了粉喷桩在公路软地基施工中的施工流程及施工工艺,对粉喷桩施工中形成原因提出相关解决措施.     

CuCr系合金材料制造工艺的新进展

在介绍ＣｕＣｒ系合金材料制造工艺现状的基础上，综述了它的一些新的制造工艺如快速凝固法，喷射沉积法，电火花烧结法等，并分析了它们的优缺点。     

稀土对渗铝层/基体界面空洞生长和抗高温剥落性能的影响

通过高温氧化实验以及测量空洞平均直径和形核数量随氧化时间的变化,研究稀土对渗铝层抗高温剥落性能和渗铝层/基体界面空洞生长的影响,并与渗纯铝试样进行了比较.结果表明:渗铝层/基体界面空洞的生长可划分为快速生长和稳定生长两个阶段;但当渗稀土铝后,空洞生长速度比渗纯铝试样降低约1/3;稀土可抑制界面空洞的形核和生长,阻止空洞聚集成波浪线状空洞带和线状裂纹,提高渗铝钢的抗高温剥落性能;热浸镀稀土铝后,试样表面自由铝层减薄,从而降低了高温下渗铝层/基体界面铝的浓度梯度,这是稀土抑制空洞形核和生长的主要原因.