基于YCbCr肤色模型改进算法及区域特征的人脸检测研究

针对当前人脸检测的研究现状与难题,采用改进的YCbCr椭圆聚类肤色模型进行肤色区域提取,根据肤色在YCb’Cr’空间的分布,对于亮度小于80的非肤色像素点会误判为肤色点,则缩小椭圆聚类;对于亮度大于230的肤色像素点会误判为非肤色点,则扩大椭圆聚类,有效避免了在高亮度区域和亮度较低的区域中的肤色点误判问题。接着利用人脸的几何特征,对二值化图中的目标区域进行比例、大小结构的分析,排除不可能的人脸区域,并基于肤色和位置进行区域优化,将处理后的结果作为候选人脸区域输出。     

基于"互联网+"模式的大学计算机基础教学诊断与改进

依据云南省教育厅计算机基础教指委对大学计算机基础教学要求的"3+X"模式设计,对云南省36所高校计算机基础教学状况进行调研,以教学环节的操作系统部分、办公软件部分、附加教学平台、教学辅助软件、组织教学模式几大教学模块为主要内容,对各高校教材与教学模式情况进行逐项调查,分析、找出传统教学模式在"互联网+计算机基础教育"新要求下存在的问题.以"互联网+计算机基础教育"包容、共享、开放、互动的内涵建设为指导思想,从教材内容、教学手段、教学组织实施方案3个方面,提出诊断意见和改进措施.     

洗涤剂用荧光增白剂—雪山XL

1979年上海合成洗涤剂三厂与上海染料研究所合作,研制成功新型的雪山荧光增白剂XL(原名#33荧光增白剂)。已正式投产,为我国高档洗衣粉提供了良好的荧米增白剂新品种。雪山XL同雪山#31、VBL荧光增白剂一样,均属双(三嗪氨基)芪二磺酸类。用于洗衣粉中能使粉色洁白悦目,对棉织物的累积洗涤白度、耐氯性是双(三嗪氨基)芪二磺酸类增白剂中最佳的品种。     

洗涤剂用荧光增白剂 第一讲 荧光增白剂化学

世界上荧光增白剂的用量按行业分配如下:肥皂和洗涤剂58%,纺织12%,造纸 25 %,塑料与原液增白5%。荧光增白剂正式引入洗涤剂工业始于五十年代。六十年代在重垢洗涤剂中的用量:美国为0．1~0．45%;欧洲为0 ．1~0．3%。与工业化国家相比,我国在用量方面差距还很大。荧光增白剂是无色的荧光染料,也称光学增白剂。它和被增白的物体不发生化学反应,而是依靠光学作用增加物体的白度。     

反应型共聚物相容剂在聚合物合金中的应用

反应型共聚物相容剂所含的反应官能团与共混物中聚合物的相关的官能团发生化学反应，从而改善不相容聚合物共混物的相容性。本文介绍了反应型共聚物相容剂的分子设计，合成及其应用。     

基于幂图的属性约简

针对粗糙集理论中基于差别矩阵的属性约简方法存在的不足,提出一种基于幂图的属性约简算法.首先通过修改样本决策属性值将不相容决策表转化为简化的相容决策表;然后将样本对概念与幂图概念相结合,将基于修正差别矩阵的不相容决策表的属性约简转化为幂图的搜索问题;最后通过实例和实验验证了所提出算法的有效性.     

基于单片机的混沌信号发生器的Proteus仿真设计

混沌信号发生器在信息加密、保密通信、雷达系统等领域具有重大的应用价值。基于Proteus虚拟实验平台,以AT89C51单片机为核心,给出了一种混沌信号发生器的数字硬件实现方案。以R觟ssler系统方程作为数学模型,采用四阶Rung-Kutta算法离散化得到数字信号,再通过D/A转换、I/V转换及电压放大电路产生混沌信号。Proteus仿真结果与电路实验结果一致,验证了该方案的可行性。     

球形氢氧化铝牙膏磨擦剂的研制

论述了由铝酸钠和二氧化碳制备适用于牙膏的氢氧化铝，所得的氢氧化铝接近球形。产品含氢氧化铝ω(Al(OH)3)≥99．0％、pH值7．5～8．5、粒径8～15μm、折光率1．577～1.581，是普通氢氧化铝牙膏磨擦剂的更新换代产品。     

基于约束满足的多目标双足机器人动态步态参数优化*

目前的步态优化算法仅仅实现了对单一目标的优化,把双足机器人步态优化看做是多目标优化问题,构建了衡量稳定性、能量消耗、步行速度三个目标评价函数。考虑到直接对多个目标加权求和的方法不能很好地处理多目标问题,提出一种新的基于约束满足的多目标步态参数优化算法,其思想是把基于惩罚函数的SPEA2(strength Pareto evolutionary algorithm2 )应用到多目标双足机器人动态步态参数优化问题上,规划出了同时满足这三个目标的动态优化步态。通过仿真实验表明了算法的有效性。     

(1102)γ面蓝宝石生长的(1120)α面氮化镓研究

自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.