横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟

采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的光电响应相比,出现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展、响应峰值波长向长波长方向移动,证实了探测器结构的有效性和其良好的光电性能。     

一种有效去除测量噪声的新方法

本文利用信号与测量噪声在小波分析中不同尺度上的传播特性,研究了小波技术在涡流无损检测信号除噪中的应用.分析了传统的去除测量噪声的两种小波方法,Mallat多尺度边缘检测方法和阈值方法,针对两种方法的不足,作者提出了一种新方法,结果表明,此方法能有效地去除测量噪声.     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

带有低噪声单端转差分电路的射频增益可控放大器

为了改进传统电路中单端转差分电路的噪声性能,提高传统射频可变增益放大器的覆盖范围和步进精度,该文设计了一种带有低噪声单端转差分电路的射频增益可控放大器。该文利用噪声抵消技术降低了噪声系数,利用电容交叉耦合技术展宽电路带宽,利用输出源级跟随器的增益可调功能实现更高的步进精度。电路采用0.18 mm CMOS工艺,1.8 V供电电源,在170-870 MHz频率信号输入下,可以实现最低3.8 dB的噪声系数,55 dB的动态范围,步进精度0.8 dB,消耗14.76 mW的功耗,面积800 mm×600 mm。测试结果表明在覆盖更宽的频段范围下,该文设计的射频可变增益放大器在消耗相同功率条件下与传统的单端转差分电路相比可以达到更低的噪声系数,同时整个可变增益放大器可以提供更高的步进精度。     

PCT申请中基于已有信息对Y2文献的补充检索

PCT申请进入中国国家阶段后,通常会根据已有信息进行补充检索.已有信息通常包括国际阶段检索报告,初审意见等.根据已有的信息进行补充检索时,通常会遇到的一种情形为根据已有信息检索另外一篇Y类文献,即Y2文献.充分利用已有信息,有效制定检索Y2的策略,在一定程度上提高补充检索的效率,增加对比文献的命中率.     

半导体技术在大功率微波加热应用研究

研究大功率半导体微波技术应用与微波炉加热,通过半导体微波炉控制系统、半导体微波馈入系统研究,实现半导体微波技术在大功率微波炉上应用。试验测试表明：半导体微波加热功率输出能够达到600W,半导体微波炉负载及频率牵引特性满足要求,加热均匀性在70％以上。加热效率在40％左右,还需进一步提升。     

系统仿真技术在控制系统中的应用

系统仿真技术是一种以对实际系统建立正确的数学模型为基础，以计算机为工具的对实际系统进行模拟的技术。计算机技术的高速发展，使系统仿真技术在各个领域中都得到了广泛的应用。以化工及工业锅炉自动控制系统中水箱系统的液位控制问题为例，阐述了系统仿真技术在自动控制领域中的应用。     

尿素扩孔剂对拟薄水铝石性能的影响

以铝酸钠和硫酸铝为原料,尿素为扩孔剂制备了拟薄水铝石,采用X射线衍射仪、N_2吸附-脱附仪、吡啶吸附红外光谱仪、扫描电子显微镜等仪器对制得的拟薄水铝石样品进行了表征,并考察了尿素添加量对拟薄水铝石孔道结构及性质的影响。结果表明:随着尿素加入量的增加,拟薄水铝石比表面积、孔容和孔径呈现先升高后降低的趋势。当尿素加入的质量分数为5%时,可制得孔径呈双峰分布,比表面积为467.3 m~2/g,孔容为1.03 cm~3/g,平均孔径为8.81 nm,弱酸量较高的蠕虫状拟薄水铝石材料。