双脚线电火工品核电磁脉冲耦合效应研究

以双脚线电火工品为研究对象,结合实际装备的双脚线可能呈现一定夹角的情况,建立了双脚线耦合天线模型,通过理论分析和数值仿真获得了不同夹角情况下天线方向图、反射系数、增益的变化对于耦合电流及耦合能量的影响规律,并通过实验进行了对照验证.研究表明,双脚线电火工品的引线夹角在60°以上时,耦合电流及能量随着角度增加而快速上升;双脚夹角到90°时,耦合能量已经数十μJ;夹角为180°时,耦合能量达到峰值.     

宽带给电信企业价值链带来的变革

本文分析了宽带消费给电信企业价值链带来的变革,指出宽带企业价值链已经由以生产为中心的业务导向型转变为以产品为中心的消费者导向型,并在此基础上为电信运营商的宽带产品价值链建设提出了一些策略。     

一种旋转圆极化阵元产生OAM波束的圆形阵设计方法北大核心CSCD

根据电磁理论推导提出了一种依次旋转天线阵中的圆极化阵元产生OAM波束的方法。然后,给出了一个八单元宽频带圆极化圆形阵的设计实例。在设计实例中,通过对所有阵元沿顺时针(或逆时针方向)依次旋转一定角度,可以生成模式数l=0,±1,±2,±3的OAM波束。与现有文献采用的控制阵元间馈电相位差来产生OAM波束的方法不同,本方法中所有阵元馈电相位相同,这不仅有利于OAM天线系统简化馈电网络设计,而且避免了由阵元间相移器引入的相位误差。     

低敏感度大动态范围全集成滤波器的设计

本文以网络综合理论为基础,利用信号流图和全差分运算放大器,给出了一种低敏感度大动态范围全集成滤波器的设计方法,并通过一个六阶Butterworth低通滤波器的设计实例加以说明.仿真结果表明了文中所提出的方法的有效性和实用性.     

电磁发射环境下屏蔽机箱内部磁场分布

为研究电磁发射系统中脉冲功率源模块屏蔽机箱内部磁场的分布,应用霍尔效应法对屏蔽机箱内部的磁场进行测试,测试得到屏蔽机箱内部7个点的三维磁场数据,通过分析处理数据得到屏蔽单元内部磁场分布规律:屏蔽机箱内部产生的磁场信号主要集中在X方向;对屏蔽机箱中各个点磁场进行比较,每个点Y方向的磁场比其对应的X和Z方向磁场大;在续流硅堆导通后,各个方向的磁场值都很快减小,Z轴磁场方向将改变.     

重型装备车辆汽-10桥通过性评定研究

对重型装备车辆的汽-10公路桥梁通过性的评定方法进行了研究,在试验测量车辆轴距、轴荷的基础上,采用三角形等代荷载方法计算其汽-10桥通过性,给出了可信的评定结果,取得了较好效果,对重型装备车辆的公路桥梁通过性评定具有一定的参考意义.     

基于Dempster-Shafer证据理论与抗频谱感知数据篡改攻击的协作式频谱检测算法

针对恶意用户伪造认知用户或者控制已有认知用户、频谱感知数据篡改（SSDF）、使现有协作式频谱检测算法的性能大幅下降问题,提出了一种抗SSDF攻击干扰的协作式频谱检测算法。将SSDF攻击干扰分为Ⅰ类和Ⅱ类,通过Dempster-Shafer (D-S)证据理论设置用户权重和判决门限,区分Ⅰ类恶意用户、Ⅱ类恶意用户和可信用户,只使用可信的频谱检测数据进行信息融合,以判决频谱占用的情况、提高检测性能。理论分析与仿真结果表明,该算法能够有效对抗Ⅰ类和Ⅱ类 SSDF的攻击干扰,其检测性能明显优于现有D-S证据融合频谱检测算法。     

电热化学炮移动式脉冲功率源

脉冲功率源系统的体积、重量、可移动性及可靠性对于应用于靶场实验的电热化学炮(ETCG)来说是重要的.为满足脉冲功率源集成化要求,必须开发、利用高储能密度、高功率的器件及综合设计脉冲功率源系统.该文研发了储能200 kJ的高储能密度脉冲功率源,ETCG靶场实验证明,该系统体积小,可移动性好,可满足ETC火炮的连续射击及单次射击,其充电时间少于10 s.功率源有10个电容器,在最大电压18 kV时储能200 kJ,高频充电器具有低谐波电流及输出功率大特点.     

今世文化“缘”——高沟集团“今世缘’酒的文化发展战略

有缘,就能期待明天1996年8月,“今世缘” 酒问世,首战投放南京市场,以“文化营销” 一炮打响,两个月就占领南京中高档酒50%以上的市场份额.之后,又开拓了苏州、无锡、常州、镇江,贯通了沪宁线,进而在整个江苏在相邻省份构建了根据地.从1997年8月起,“今世缘” 酒又先后在此京、武汉、福建泉州等地构建了板块市场.所有这些发展,都与“文化发展战略” 结下了“不解之缘”.     

光纤耦合器结构的红外光谱研究

为获得性能优良的熔锥型光纤耦合器．利用740FT-IR显微红外光谱仪,研究了不同制作工艺条件下耦合器中石英玻璃结构的差异。测定了在不同拉伸速度时制作的光纤耦合器,石英玻璃在650．2000cm^-1波数范围内的红外吸收光谱．观察到了石英光纤玻璃的两个特征峰,由Si-O-Si反对称伸缩振动引起的特征峰940．950cm^-1和由Si-O-Si对称伸缩振动引起的特征峰770—780cm^-1。由于工艺条件的不同,特征峰的强度和位置都发生了变化,并测量了其变化的大小。拉制速度越快,石英玻璃中Si-O-Si键的不对称伸缩振动越强．且波数的移动与光纤耦合器的性能密切相关。