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巴基管增强铜基复合材料的磨损性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对催化热分解法制备的巴基管进行表面预处理化学镀、巴基管增强铜基复合材料粉末冶金法制备工艺作了的研究。对制备的复合材料的磨损试验表明 :磨损过程存在磨台阶段和稳态磨损阶段。最后对主要因素对磨损的影响作了研究 ,并与一般碳纤维材料进行了对比试验 ,表明巴基管具有良好的抗磨性 相似文献
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压电变压器的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压,同传统的电磁变压器相比较,具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点。本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法,以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器,分析了现阶段压电变压器存在的问题,并展望了压电变压器的发展方向。 相似文献
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摘要是本文提出了一种应用于微机电系统嵌入式传感器片上系统新工艺上的静电放电防护器件的电路结构.这个静电放电防护结构采用了以地端为参考电位的,多指条晶闸管类器件,包括以下几个部分1)输入/输出防护,2)电源钳位3)微机电处理过程中的内部传感器电极.本工作也提出了一种在有限的芯片面积下实现静电放电防护等级要求的多指条版图布局.这种静电放电防护设计体系在器件级和片上系统级都得到了测试和验证,有效性和鲁棒性都得到了证实.测试数据表明采用了本防护体系的片上系统在不引入闩锁,漏电流只有10-10A的情况下承受了4.1kV的人体放电模式的静电测试. 相似文献
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采用射频反应磁控溅射法,制备了用于薄膜体声波谐振器的(002)取向的氮化铝薄膜。氮化铝薄膜为(002)取向为主混合少量(103)取向。氮化铝薄膜生长模式表面二维均匀成核再沿C轴堆垛生长。基片温度明显影响薄膜的取向,获得好的(002)取向的基片温度在380℃~400℃之间。不同的氮气分压比存在金属模式、过渡模式和氮化物模式,要进入稳定的氮化物模式。氮气分压比为0.3~0.4,氮气分压比高有利于(002)取向。射频馈入功率密度影响到成膜速率,且与氮气分压关联,较合适的值为12W/cm^2~15W/cm^2。 相似文献
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为了模拟薄膜声体波谐振器(FBAR)的电磁场(EM)分布特性,提出了一种新的FBAR建模方法.该方法从基本的一维弹性压电方程和三维麦克斯韦尔方程出发,结合电极与压电薄膜交界处机械应力与机械位移连续的边界条件,推导出了FBAR等效复介电常数的严格解.将电磁场和声场等效到一个复介电常数中,用等效复介电常数的形式来包含电声效应.并基于有限元方法对FBAR全波段进行了仿真.结果表明,该方法的仿真结果与实测数据基本一致,具有很好的准确性.与传统的电路模型比较,由该方法得到的模型能够实现场的不连续仿真和FBAR的电磁场分布与压电效应的实时仿真. 相似文献
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为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR). 采用SMIC 40 nm CMOS工艺与SMIC 28 nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性. 栅二极管的ESD鲁棒性为19.7 mA/μm,导通电阻为1.28 Ω,相较于传统二极管降低了38.8%. 面积效率二极管触发SCR触发电压为1.82 V,鲁棒性为48.1 mA/μm,相较于传统二极管提升了174.8%. 测试结果表明,栅二极管与ASCR和传统ESD器件相比,性能有极大的提升,适合用作VBO接口芯片的ESD防护. 相似文献
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制备了膜层质量良好的镁钙微波介质陶瓷(MCT)薄膜.采用高密度等离子体射频溅射法在(110)二氧化硅上沉积了MCT陶瓷薄膜.研究结果表明: 薄膜态MCT陶瓷具有和块状材料相近的微波介电特性,MCT薄膜的介电常数在20左右,品质因子在23THz左右;溅射气体的氩氧混合体积比会明显影响薄膜膜层质量及其介电特性,氧分压的变化改变了八面体C轴长度,使晶格畸变和八面体向四面体转变;溅射功率和退火工艺温度也会影响薄膜质量. 相似文献