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厚膜永磁阵列是近年来 MEMS器件中的重要材料之一 ,研究其表面磁场分布对实际应用中永磁阵列单元几何尺寸的设计具有重要指导作用。文中建立了厚膜永磁阵列表面磁场分布的计算模型 ,并得到了永磁阵列表面磁场分布。结果表明永磁阵列表面磁场呈周期性分布 ,与磁体单元高度、宽度以及磁体单元间隔密切相关。 相似文献
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复合智能磁流变液的制备及流变性质研究 总被引:12,自引:0,他引:12
利用多元醇软化学方法制备了Co-Ni超细颗粒,将Co-Ni磁性颗粒与微孔材料通过粘结剂混合研磨,制得复合磁性颗粒,为了克服磁流变液的沉降稳定性,今复合磁性颗粒的密度等于载液的密度,各组分按此比例制备的MRF具有较好的稳定性。利用旋转粘度测试表明,无外场时,磁流变液的剪切应力τ随剪切速率γ变化的本构关系为:τ=11.4γ^0.7。为一非牛顿液体。探讨了剪切应力和表现粘度系数随外加磁场和温度的变化关系,表明研制的MRF的流变性质具有较高的低磁场敏感性质,并且具有较好的温度稳定性。 相似文献
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利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500~3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000~8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。 相似文献
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利用直流磁控溅射工艺制备了TBFex薄膜,通过改变溅射气压调节薄膜的成分,利用磁力显微镜研究了薄膜成分对畴结构的影响,最后从理论上讨论Ar气压对磁致伸缩薄膜TBFex成分的影响,并建立了理论模型。结果表明:Ar气压在相当大的范围内影响着TBFex膜的成分,当气压从0.2Pa增加到0.6Pa时,Tb原子数百分比从30%增加到45%,磁力显微镜(MFM)观察到当TB含量减少时,在零场下的磁化强度由与膜面垂直方向变为平行于薄膜平面方向。 相似文献
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