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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究 总被引：1，自引：0，他引：1
应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较,将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁,同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁,由实验结果算得Ｂｅ受主的电离能为２８．６ｍｅＶ。 相似文献
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