高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

采用发射极基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load-pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23.5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3.5V．     

向家坝水电站励磁系统的设计及选型

介绍了向家坝水电站励磁系统中励磁变压器、可控硅整流、灭磁和过电压保护的参数计算及功能配置,阐述了向家坝励磁系统方案的设计方法和特点。总结目前世界上最大水轮发电机组励磁的设计经验,对大容量水轮发电机组励磁系统的应用具有重要的参考意义。     

ISM频段中功率功率放大器

采用三指单胞的InGaP/GaAs HBT提取的大信号模型参数,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器.通过对传统偏置网络的优化,消除了小信号下的增益压缩.在3.5V电压下,该放大器的最大线性输出功率为30dBm,增益达到29.1dB,对应的功率附加效率为43.4%,临近沟道抑制比达到-100dBc,而静态偏置电流很低,只有109.7mA.     

晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响

在对InGaP/GaAs HBT特性的研究中发现,发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([01 1]方向)放置时,其直流电流增益和截止频率是不同的.[011]方向的直流电流增益远远大于[01 1]方向,而它的截止频率则略小于[01 1]方向.文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的,但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性.文中用压电效应和两个互相垂直方向上发射区侧向腐蚀形状的不同很好地解释了所有实验结果.     

考虑金属护层结构的电缆新型故障测距方法研究

单芯电力电缆的很多绝缘故障都和金属护层有关,只研究电缆导芯的简化结构模型不能进行护层相关故障的测距。基于分布参数模型,提出一种考虑电缆金属护层的新型故障测距方法。首先,使用分布参数理论分析计及金属护层的故障电缆等效分布参数电路,建立电压、电流方程;然后,通过边界条件求解电压、电流方程中的未知参数,得到故障点前、后的电压、电流值;最后,通过构建测距方程迭代搜索得到故障距离。该方法将复杂的相网络转化为相互独立的序列网络,使得该算法变得简单有效。大量仿真结果表明,该算法能实现护层相关故障(护层对地故障、芯—护层故障和芯—护层对地故障)的精确测距,测距误差基本不超过1.5%,且定位结果不受故障发生位置、故障类型以及过渡电阻的影响。     

高拉速薄板坯连铸结晶器钢渣界面波动分析

为应对提高拉速薄板坯结晶器内钢液不稳定行为,以1 520 mm×90 mm薄板坯结晶器为研究对象,利用液面追踪技术VOF方法建模计算,对薄板坯钢渣界面进行了深入研究,实现了对薄板坯连铸结晶器内流体流动及钢/渣界面行为的模拟计算。并结合实际生产工艺,采用1∶1物理模型和数值模拟相互验证,分析了拉坯速度、浸入深度和保护渣黏度种类对结晶器流场及钢渣界面的影响。结果表明,当结晶器钢液面流速为0.20~0.25 m/s,且界面较平稳时,保护渣黏度高于0.237 Pa·s可以适用;当钢液流速为0.25~0.30 m/s,保护渣黏度为0.382 Pa·s时,现场低碳钢卷渣率小于0.5%,表现出良好的抗卷渣能力。     

高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

采用发射极-基极金属自对准工艺,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT.发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz.在片load-pull测试表明:当工作频率为1GHz时,器件工作在AB类,该功率管最大输出功率为23.5dBm,最大功率附加效率达60%,P1dB的输出功率为21dBm,对应增益为16dB,工作电压为3.5V.     

钝化边的制作及其对不同尺寸自对准InGaP/GaAs HBT性能的影响

采用全耗尽的In Ga P材料在基区Ga As表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.     

液压缸缸筒直线度测量仪的设计

文章介绍了液压缸缸筒内壁直线度测量仪的设计分析。