金属表面硅烷化处理研究现状及发展趋势

本文综述了一种新型绿色环保的材料表面处理技术-硅烷化处理技术。主要概述了有机硅烷的特性、硅烷膜的形成机理以及硅烷膜的改性方法,总结、展望了硅烷化处理技术的发展趋势。有机硅烷在铝合金、热镀锌钢、低碳钢等不同基体的成膜机理不同,其性能取决于膜的疏水性、厚度和致密度,通过掺杂纳米粒子、有自愈性的铈盐及铈的氧化物以及钼酸盐、锆酸盐等,与硅烷形成复合膜,可显著提高硅烷膜的性能,电化学辅助沉积、等离子体沉积等硅烷膜的新型沉积方法具有独特的优势。有机硅烷化处理技术作为一种新型、环保的表面处理技术,发展潜力巨大,但实现工业化还需要国内外学者共同努力。     

激光拼焊侧围加强板用材分析及性能控制技术

目的研究某车型侧围加强板生产稳定性的材料性能。方法通过对某车型激光拼焊侧围加强板的主要用材TRIP800进行分析,研究不同3种生产批次材料性能和组织上的差异性,包括化学成分、显微组织、残余奥氏体含量、扩孔试验、力学性能、表面粗糙度的测量。结果 3种不同批次材料生产后,两种批次满足生产稳定要求,一种批次不能满足稳定生产要求,识别了TRIP800材料影响零件冲压开裂的关键性能指标,主要为材料伸长率及硬化指数。结论针对某侧围加强板的生产稳定性,材料伸长率大于25%,硬化指数n值不低于0.18的情况下,能够满足稳定生产。扩孔试验结果表明,该零件的成形过程中,扩孔率并不是唯一影响开裂的性能指标。     

高性能六边形发射极InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

六边形发射极的自对准In Ga P/ Ga As异质结具有优异的直流和微波性能.采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管,VCE偏移电压小于15 0 m V,膝点电压为0 .5 V(IC=16 m A) ,BVCEO大于9V,BVCBO大于14 V,特征频率高达92 GHz,最高振荡频率达到10 5 GHz.这些优异的性能预示着In Ga P/ Ga As HBT在超高速数字电路和微波功率放大领域具有广阔的应用前景     

碱度对高速薄板坯保护渣结晶性能的影响

为解决薄板坯连铸在高拉速下坯壳表面纵裂纹较多的问题,通过提高保护渣碱度(B)的方式,增强渣膜的结晶性能,进而降低铸坯向结晶器的传热,促进坯壳均匀生长。研究过程中采用单丝热电偶技术、FactSage热力学软件以及数学模型计算等手段分析了高碱度对薄板坯保护渣结晶行为的影响,并揭示了其影响机理。研究结果表明,当碱度从1.60增至1.80时,保护渣的结晶温度区间增大,临界冷却速率提高,结晶活化能降低,说明提高碱度会促进保护渣结晶。同时,在碱度提高过程中,保护渣中晶体的形核和长大机制存在2种情况,分别是B=1.60时形核速率减小、界面反应控制条件下、以二维长大方式生长,以及B=1.70、1.75和1.80时形核速率减小、界面反应控制条件下、以三维长大方式生长。     

减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能

在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2μm的InGaP/GaAs HBT.发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz,且集电极电流密度为7×104A/cm2时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析.     

基于InGaP/GaAs HBT的10Gbps跨阻放大器

采用InGaP/GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器.在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益,在第一级采用了cascade结构,第二级采用了cherry hooper结构以提高电路的带宽和稳定性.测试结果表明,跨阻增益为40dB·Ω and 3dB带宽为10GHz.     

利用MATLAB计算任意二元函数的极小值

本文给出了一种利用MATLAB计算任意二元函数的极小值的方法。主要讨论了在MATLAB中符号计算、三维作图和GUI用户界面生成的方法。这种方法界面友好，使用方便，并且由于高版本MATLAB中可以进行符号计算，解决了函数求导问题，使利用最速下降法求任意二元函数的极小值十分方便。     

QP和DP钢面内成形性能与边部成形性能对比研究

目的 以宝钢生产的QP980、QP1180、DP980、DP1180 4种典型超高强钢材料为研究对象,进行QP、DP钢种材料面内与边部成形特性对比分析。方法 采用单向拉伸设备以及成形试验机,并结合DIC分析技术,对4种材料的力学性能、面内成形性及边部成形性进行试验研究。结果 与DP钢相比,同等强度级别QP钢的均匀延伸率及加工硬化系数均明显更高。在面内成形应变状态下,同等强度级别QP钢极限成形深度均明显大于DP钢的,但主、次应变大小差异不大。在边部成形应变状态下,同等强度级别QP、DP钢极限成形深度以及主、次应变大小均差异不大。QP、DP钢面内成形最大主应变均明显大于边部成形最大主应变。结论 与同强度级别DP钢相比,QP钢具有更高的均匀延伸率及加工硬化系数。QP钢材料的加工硬化系数高,材料内部协同变形能力强,面内成形性能明显优于DP钢材料的,但两者的边部成形性能差异不大;QP、DP钢材料能承受更大的面内主应变,受边部加工硬化及毛刺的影响,冲裁后,边部应变明显降低,在QP、DP超高强钢零件设计制造过程中,应尽可能避免边部发生较大的变形。     

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异.     

高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

报道了一种采用 U形发射极新结构的高性能 In Ga P/ Ga As HBT.采用自对准发射极、L EU等先进工艺技术实现了特征频率达到 1 0 8GHz,最大振荡频率达到 1 4 0 GHz的频率特性 .这种新结构的 HBT的击穿电压达到 2 5 V,有利于在大功率领域应用 .而残余电压只有 1 0 5 m V,拐点电压只有 0 .5 0 V,使其更适用于低功耗应用 .同时 ,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异