石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

1.23 GeV Fe离子在C60薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析

用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应，主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相（HTHP）的形成，和在高电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径心，及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.     

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.     

溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光

用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.     

溅射法制备a-GaN薄膜的光学性质

利用直流磁控溅射方法制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜.X射线衍射分析以及傅里叶变换红外吸收谱表明薄膜是非晶结构.通过紫外-可见光谱测量得到,样品随着衬底温度的升高而变厚,光学带隙随着衬底温度的升高而变小,Ar对薄膜的光学带隙和表面粗糙程度有很大的影响.     

HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能，发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性. 高压“锻炼”对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用，这与高压“锻炼”下薄膜内部结构和表面性质的改变有关. 对场发射机理的研究表明，HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

光敏性溶胶-凝胶波导材料

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶 凝胶 ,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料 .为了增加薄膜与硅片的粘附作用 ,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为 15 0nm的SiO2 ,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜 ,薄膜厚度达到 3 6 μm .研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大 .样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整 ,在 5 μm× 5 μm的范围内表面起伏只有 0 6 5 7nm .利用波导阵列掩膜版 ,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光 ,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列 .     

氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能

利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相.场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大.文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论.电流一时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定.