磁控溅射法制备HfO_2薄膜及电阻转变特性研究(英文)

采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位。电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现出良好的可靠性(室温下可重复测试102次以上)和稳定的保持性能(0.5 V偏压下保持104 s以上),高低阻态比值达到104。基于XPS以及电学分析,薄膜的导电过程可用与氧空位相关的空间电荷限制电流模型解释。     

材料成型及控制工程专业（模具方向）教学改革探析

本文从天津滨海新区开发开放现状出发,通过问卷调查了解新区企业人才需求,结合天津工程师范学院材料成型及控制工程专业（模具方向）建设现状,分析了天津工程师范学院材料成型及控制工程专业存在的问题,并提出了结合实际需要的几点思考。     

多功能智能手杖设计与研究

随着我国人口老龄化的加剧,老年人口逐渐增长,对适用于老年人的用品需求量增大,而目前适用于残疾人和老年人的用品却寥寥无几.本文针对老年人因行动受限而易遇到危险等问题,设计并研究了一种新型智能化、多功能的便捷手杖.该手杖主要有危险感应震动提示、GPS定位系统、照明、紧急呼救等功能,让残疾人和老人出行更安全便捷,享受到科技进...     

同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnTe的接触势垒

采用分子束外延的方法在理想清洁的CdZnTe表面蒸金,获得了Au/CdZnTe肖特基接触.采用同步辐射光电子能谱研究了Au与CdZnTe(110)和(111)A面的肖特基接触势垒.实验测得Au与CdZnTe(110)和(111)A面的接触势垒分别为0.738和0.566eV.运用金属感应隙态模型(MIGS)对实验结果进行了分析和解释.     

快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响

文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的影响。结果表明,HfO2薄膜有良好的非晶稳定性,组分基本符合化学剂量比。经N2气氛快速退火处理后,薄膜的化学剂量比得到改善,禁带宽度增大,且薄膜内的固定电荷密度和平带电压偏移减小。