羟基磷灰石水悬浮液电动特性研究

通过测量粉体在水溶液中的Ｚｅｔａ电位和颗粒大小,研究了不同条件下羟基磷灰石水悬浮液的电动特性。结果表明,溶液的ｐＨ值以及引入的聚电解质不同均会使羟基磷灰石颗粒表面的荷电状态发生变化,进而导致粉体在水溶液中的分散状况发生变化。在碱性条件下添加适当的阴离子聚电解质有利于羟基磷灰石水悬浮液的稳定分散。     

正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响

采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.     

SiC—AlN—Y2O3复相陶瓷的制备与性能

通过热压烧结技术，ＳｉＣ、ＡｌＮ和Ｙ２Ｏ３粉末混合体在１９２０￣２０５０℃、Ａｒ气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到６００ＭＰａ和７ＭＰａ·ｍ＾１／２以上。运用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷在１３７０℃氧化试验３０ｈ，其氧化产物为莫来石。     

具有不同添加剂的热压碳化硅的氧化行为和高温强度

本文研究了多种添加剂(B_4C、Al_2O_3、WC)对热压碳化硅(HP-SiC)材料的抗氧化和力学性能的影响,并与无压烧结碳化硅(PLS-SiC)样品作对比。在空气中,不同温度和保温时间下测定样品的氧化速率,氧化层的性能用电子探针和扫描电镜技术进行分析。含有 Al_2O_3的热压 SiC 的高温弯曲强度比已知商业材料性能要好。1400℃高温强度能达630MPa。     

高温等静压烧结碳化硅基复相陶瓷的强化与增韧

本文通过Si₃N₄、TiC及SiC晶须补强SiC基复相陶瓷的高温等静压烧结,研究了复相陶瓷的显微结构与力学性能,探讨了晶须及第二相颗粒对复相陶瓷的强化与增韧机理．结果表明,不同的补强颗粒及晶须在基体中的作用也不同,Si₃N₄的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向压应力,阻碍裂纹的扩展,TiC的引入将在基体与第二相颗粒之间产生径向张应力,诱导裂纹的偏转;SiC晶须的引入也将产生阻碍裂纹扩展的机制,从而达到SiC基复相陶瓷强化与增韧,改善其力学性能．     

原位增韧SiC-YAG复相陶瓷的致密化

以β－ＳｉＣ粉加入少量作为晶种的α－ＳｉＣ为起始原料,通过高温热处理过程中的相变和长柱状晶粒生长来制备原位增韧ＳｉＣ基复相陶瓷;调整埋烧工艺控制高温热处理过程中液相挥发和保持稳定的化学计量比,以保证上全部晶化为ＹＡＧ相,着重解决了长柱状晶粒生长过程中的致密化。发现在完全形成紧密的网络状结构之前,长柱状晶粒的形成可能延缓致密化速率,但不会由此中止致密化过程。通过调整热处理条件,制备得到了完全致密化（     

Cr2O3涂层/SiC块体在水润滑下的磨损机制和润滑状态

本文以等离子喷涂Cr2O3涂层和SiC块体组成摩擦副，考察其在水润滑条件下的摩擦磨损性能，应用SEM、XPS等技术观察和分析了磨痕和磨屑的形貌、元素分布和物相组成．目的是揭示该摩擦副在不同工况条件下的磨损机制和润滑状态．结果表明：Cr2O3涂层／SiC块体摩擦副的摩擦系数和磨损系数都非常小；Cr2O3涂层的磨损机理为气孔边缘的微断裂和塑性变形；SiC的磨损表现为摩擦化学反应生成SiO2及SiO2在水中的溶解．Cr2O3涂层和SiC块体的磨损对载荷和速度的稳定性较好．摩擦副在高载荷低速时处于边界润滑状态，在低载荷或高速情况下处于部分弹流润滑状态．     

多孔陶瓷的制备、性能及应用：（I）多孔陶瓷的制造工艺

多孔陶瓷的制备方法很多，其成孔机理主要有机械挤出、颗粒堆积、成孔剂、发泡、多孔模板、凝结结构成孔。本文根据成孔机理的不同综述了多孔陶瓷的制备工艺最新研究进展。     

碳化硅基粉体在硅溶胶中的分散行为

利用ξ电位、粘度、流变学测试等研究了碳化硅基粉体在硅溶胶中的分散行为.发现在pH=10左右,硅溶胶分散的陶瓷粉体具有绝对值最大的Zeta电位和最低的粘度,表明碳化硅等陶瓷粉体在硅溶胶中分散的最佳pH条件为pH=10左右.研究发现碳化硅等粉体在硅溶胶中分散性能受硅溶胶浓度的影响较大,其浆料粘度随硅溶胶浓度的增加而减小,在浓度为10%～20%(质量分数)达到最低,当浓度进一步增加时,其粘度呈现微小的增加.并同时研究了pH值、羧甲基纤维素添加量和固含量等对碳化硅基粉体制备的浆料的流变行为的影响.     

碳化钛水基流延膜的制备研究

为了提高TiC粉体的分散性,首先对粉体表面进行处理,测定了粉体的zeta电位。根据粉体的表面性质,选用阳离子型聚合物作为分散剂,研究了pH值、分散剂含量等对zeta电位及浆料分散性的影响。采用PVA为粘结剂,甘油为塑性剂,流变测试发现,浆料为触变性流体,呈现明显的剪切变稀,适合于流延成型。最后,制备出了碳化钛流延膜,并用SEM对得到的流延膜进行了表征。