B4C陶瓷的协同增韧

采用热压工艺制备的Ｂ４Ｃ－３５ｖｏｌ％ＴｉＢ２复相陶瓷的断裂韧性值从单体Ｂ４Ｃ的３．６ＭＰａ－ｍ＾１／２以６．５ＭＰａ．ｍ＾１／２， 游离碳后的韧性进一步提高，达７．６ＭＰａ．ｍ＾１／２，显微结构观察表明，材料韧性的改善是因第二相颗粒的ＴｉＢ２和基体Ｂ４Ｃ之间的热膨胀系数不匹配而产生的残余应力导致的偏转和游离碳的 产生的微开明纹协同增韧的结果，游离碳的存在削弱了界面的结合强度，在很强的残余应力的和     

无压烧结SiC—AlN复相陶瓷的显微结构

对于ＳｉＣ与ＡｌＮ在１８００℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结。     

PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究

利用等离子辉光放电化学气相沉积技术（ＰＣＶＤ），控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比，在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜，研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响．在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高２０％达到８５０ＭＰａ，沉积氮化硅薄膜使强度提高３０％达到９００ＭＰａ，改性的效果很明显．     

无定型Si-C-O-N涂层的XPS分析

采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态。结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降。溅射功率对涂层组成的影响很大:随着溅射功率的增加,Si元素结合能增加,这主要是溅射产额增加的缘故;而N元素的含量则迅速上升,这主要归因于高溅射功率下N-Si键的增加和更多N-C键的结合。     

多孔陶瓷的制备、性能及应用:(Ⅱ)多孔陶瓷的结构、性能及应用

综述了多孔陶瓷的结构、性能及应用。相对密度是多孔陶瓷的一个重要结构性质 ,多孔陶瓷的力学性能、热性能、介电性能、渗透性能等都可以直接或间接通过它来描述。多孔陶瓷的应用已遍及冶金、化工、能源、环保、生物等多个领域 ,是一种多功能材料     

羟基磷灰石多孔陶瓷的制备和性能

本工作采用造孔剂（ＰＦＡ）干压工艺制备羟基磷灰石多孔陶瓷。通过两种造孔剂制得的多孔羟基磷灰石陶瓷性能的对比,发现两种造孔剂可制得多孔羟基磷灰石陶瓷。并借助ＳＥＭ、压汞仪等仪器和设备,对多孔体的性能进行了测试,讨论了造孔剂粒径、添加量及形状对多孔体性能的影响,结果表明：采用碳粉作造孔剂制得的多孔体具有较高的强度,而采用聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）作造孔剂制得的多孔体孔径的可控性高。     

SiC晶须在Mullite浆料中的分散特性及流变学表征

研究了SiC 晶须在Ｍｕｌｌｉｔｅ浆料中的分散行为．通过沉降实验和流变学测试讨论了ｐＨ值,分散剂对SiC 晶须分散性质的影响．结果发现,晶须的加入影响了浆料的流变性能．当ＰＨ＝１１,分散剂含量为5wｔ％时,可获得分散性较好的浆料．本分散工艺促进了晶须在Ｍuｌｌｉｔe浆料中的分散,提高了浆料的结构均匀性．