InGaAs光电阴极像增强器研究

ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的光谱为１－０ ～１－３μｍ 和１－０ ～１－１μｍ 。对用于像增强器中的ＩｎＧａＡｓ 光电阴极进行了研究。研究的方法有：光致发光法、微型瑞曼法、扫描俄歇俄法。将ＩｎＧａＡｓ 像增强器的光谱和标准的第二代和第三代像增强器进行比较。文中还报导了负电子亲和势ＩｎＧａＡｓ 光电阴极摄像管的性能参数：光谱灵敏度、白光光响应、等效背景照度、信噪比、调制传递函数以及像增强器的性能。对ＩｎＧａＡｓ 负电子亲和势光电阴极和标准第二代像增强器阴级直接进行比较。最后评价了近红外ＩｎＧａＡｓ 光电阴极像增强器的先进性。     

移动通信基站雷害情况的调查与防护建议

列举了全国部分省（区）移动通信基站遭受雷害的情况和雷害对基站造成危害的主要部位,最后提出了预防雷害的建议。     

基于多波长光学系统结构的透射波前检测

基于多波长波前检测技术的实际需要,设计了多波长激光干涉仪光学结构。结构基于菲索干涉原理,使用分光棱镜集成5个波长的激光光源。通过笼式系统减小了光学结构各部分的同轴误差,采用消色差镜头作为干涉系统的准直系统和成像系统,缩短了调整准直系统行程的同时,也减小了系统内部光学系统的色差。使用该光学结构对光学系统进行测量,采用转换多项式法计算的Zernike系数-波长曲线符合预测结果。多波长激光干涉仪光学结构提高了多波长透射波前的检测效率,有利于多波长透射波前检测技术的工程化和推广,并为新仪器的开发提供了借鉴。     

现代电子工业Cpk评价中的特殊问题

现代电子工业生产具有许多新的特点，如果不针对具体情况，均采用传统工业生产中广泛使用的常规方法计算其工序能力指数，评价生产工艺水平，将可能导致错误的结论。总结了电子工业生产中工艺参数的典型特点，并讨论了工序能力指数的正确计算方法。     

一种数字测相位差的方法

相位差的测量在电子战测向侦察领域具有重要的意义。对两路信号进行FFT后可提取相位差，用这种方法可以在较低信噪比下实现相位差的高精确度提取，并且具有分离同时多信号的能力。     

怎样选择合适的数据转换系统放大器

主要介绍了数据转换系统选择放大器时应注意的几个问题，并就选择放大器的重要性作了详细探讨。     

基于小波包分析的SAR射频干扰自适应抑制方法

本文首次将小波分析的方法应用到SAR(Synthetic Aperture Radar)射频干扰抑制中,提出了基于小波包分析的自适应干扰抑制方法,利用小波包变换的多分辨分析能力和良好的时频局部化特性,实现了SAR射频干扰的自适应抑制.通过干扰抑制仿真实验,验证了方法的正确性和有效性.     

电信运营商大客户管理系统

电信运营商大客户管理系统是通过收集大客户资料信息、市场调查信息,同时采集营业、计费、客服系统的相关数据,建立完善的大客户信息管理系统;通过建立快速、全面、准确的大客户业务受理及故障申告处理通道,形成完善的大客户服务体系;并以大客户客户资料、业务收入和服务活动为基础,建立完整的大客户满意度评估体系,收益评价与预测体系及营销决策支持系统。简要介绍了大客户管理系统的功能,系统实现的技术特点和系统所需要的运行环境。     

二端子有源矩阵LCD研究进展

首先介绍了传统的各种类型的二端子有源矩阵液晶显示的工作原理、结构和制作工艺。进而介绍了一种优于传统二端子模式的Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，并介绍了此模式的工作原理、研究现状、研究意义及发展态势．传统二端子模式都存在各自的缺点，不能很好地满足AM-LCD对于二端子器件的要求，用于AM-LCD都无法很好地达到预期目的。而Lechner二极管有源矩阵液晶显示模式，相对于其他二端子模式，只需使用二极管的正向特性，对阈值电压的要求降低，工艺更简单，图像显示质量更好，并且较易实现大屏幕显示。在目前TFT-LCD处于主导地位的情况下，通过对二端子有源矩阵液晶显示，特别是Lechner二极管二端子有源方式的研究，也许在不远的将来，实现降低AM-LCD生产线成本，简化大屏幕AM-LCD制作工艺将不是梦想。     

静态随机存储器数据残留特性研究

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。