天铁高碱度烧结矿生产实践

针对随着炼铁产能的提高烧结生产能力不足的现状，通过采取增加球团矿和块矿用量、提高烧结矿碱度、改善烧结矿性能等措施，促进高炉炉料结构进一步优化，为高炉提供优质原料，满足炼铁生产。     

GaN固体光源的进展

以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明光源的技术现状。本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出几种可见光功率LED芯片的结构及其封装特点,最后指出在未来50年内,用GaN固体光源取代白炽灯照明将成为现实。     

巷道过断层安全生产技术措施探讨

掘进巷道过断层期间,受构造应力影响,巷道施工难度大,支护困难,而且施工期间存在很多安全隐患。店坪煤矿在二采区2003巷过断层时,提出了合理有效的巷道施工安全生产技术措施,保证了施工巷道安全快速过断层带,取得了较好效果。     

CBQ-30A型轻便取样钻机的研制与应用

为解决特殊浅覆盖地层取样难题,有针对性地研制了CBQ-30A型轻便取样钻机。介绍了CBQ-30A型轻便取样钻机的各主要模块结构:轻巧型动力机、闸块式离合器、自主专利换挡机构、简化式水龙头和便拆式传动机构。该款钻机已通过多地生产性验证,基本满足了绿色勘查的需求,对浅层取样钻探技术推广有较好的促进作用。     

大学生常见就业心理问题及自我调适

大学生的就业形势在今天的时代背景下其严峻性日益凸显,就业岗位和就业方式的多样化也为大学生就业提供了更多的机遇和更大的自由度,但是在就业过程中又难免出现种种心理问题,如何正确认识并进行科学有效的自我调适,对大学生群体和整个社会都具有重要意义。     

半导体及其氧化物的氢等离子体腐蚀

用氢等离子体腐蚀了半导体材料(如:GaAs、GaSb、InP、Si等)及其氧化物和氮化硅的表面。采用光谱椭圆仪、俄歇波谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等综合分析技术,研究了刻蚀速率、表面组分和形态。实验证明:氢等离子体对于SiO_2上的硅和GaAs上的GaAs氧化物的选择刻蚀速率分别为30和2左右。还表明,经氢等离子体腐蚀的(曝露在空气中)GaAs表面上Ga/As的浓度比近似等于GaAs空气解理面上的Ga/As的浓度比。对于GaSb也得到了类似的结果。氢等离子体腐蚀过的InP表面呈现出偏析现象,即富In的表面结构。椭圆仪和电子显微镜测量的结果表明:半导体及其氧化物的腐蚀速率与被蚀物质的种类有关,对不同种类的化合物,腐蚀速率有几个数量级的差别。实验还证明:扫描椭圆仪可以用于表面腐蚀过程的监控。讨论了使用氢等离子体对材料表面制备的一些优缺点及在刻蚀方面的应用。     

压杆稳定临界力欧拉公式统一推导

针对以往用弯剪方程挠曲线微分方程对压杆稳定临界力欧拉公式做了统一推导,既考虑剪力又考虑弯矩,没有体现真正意义上的杆的整体变形效应的问题,提出了以一端固定另一端铰支的细长压杆微小弯曲挠曲线方程作为统一的挠曲线方程,分别代入压杆两端铰支失稳、压杆一端固定另一端自由失稳、压杆两端固失稳定、压杆一端固定另一端定向可移动夹紧失稳的临界力边界条件的方法.结果表明:压杆两端铰支失稳临界力Euler(欧拉)公式,长度因数μ=1;压杆一端固定另一端铰支失稳临界力Euler公式,长度因数μ=0.7;压杆一端固定另一端自由失稳临界力Euler公式,长度因数μ=2;压杆两端固失稳定失稳临界力Euler公式,长度因数μ=0.5;压杆一端固定另一端定向可移动夹紧失稳的临界力Euler公式,长度因数μ=1,结果与工程力学或材料力学现有教材完全一致,表明此方法正确可行.使用此方法对压杆稳定临界力欧拉公式做了统一推导,真正体现了杆的整体变形效应,揭示了压杆稳定与拉、压、弯、扭区别的本质.     

工序分解组合定价法的研究

以锻造产品为例，论述工序分解组合定价法的原理，方法，使用效果，为重机行业价格管理工作提供一种新的定价方法。     

硅酸镓镧高温色散COM参数数据库建立

为了声表面波(SAW)器件设计的便捷和准确,该文利用耦合模(COM)模型在FEMSDA软件基础上添加了Mo、Pt、Ir 3种金属电极的材料参数,同时将硅酸镓镧(LGS)的材料参数随温度变化的关系式一起加入软件,以(0°,138.6°,26.7°)LGS压电基片为目标,建立了在700 K下不同金属、相对膜厚及占空比条件下的COM色散参数数据库。