锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

聚苯醚磺酸锂／共聚醚复合物的离子导电性研究

合成了３种不同磺化度的聚苯醚磺酸锂（ＳＰＰＯＬｉ）与Ｐ（ＭＥＯ１６－ＡＭ）／ＳＰＰＯＬｉ复合物。研究了复合物的离子导电性与磺化度，组成比及增塑剂含量的关系。含４０％（ｍａｓｓ）增塑剂的复合物具有单离子导电特征，锂离子迁移数高达０．９７，室温电导率达２×１０－５Ｓ／ｃｍ。     

接通率与经济效益的关系

利用基本呼叫模型，从分析重复试呼入手，定量分析了接通率与经济效益的关系。     

带有色观测噪声系统最优和自校正状态估计器

带有色观测噪声系统最优和自校正状态估计器黑龙江大学应用数学研究所邓自立，马灵洁基于ＡＲＭＡ新息模型，通过计算白噪声估值器和输出预报器，提出一种带有色观测噪声系统的新的最优和自校正状态估计器，可统一处理滤波、平滑和预报问题，可处理未知的非平稳有色观测噪...     

管柱在垂直井眼中的屈曲分析

本文导出的管柱在垂直井眼中的屈曲方程是一个含有小参数ε的四阶非线性微分方程，当ε取不同值时，屈曲方程有３种不同形式有的解，当ε〉εｃ时杆柱保持其稳定状态，屈曲方程没有非零解，当εｍ〈ε≤εｃ时，管柱发生拟正弦（平面）屈曲，当ε≤εｍ时，管柱发生螺旋屈曲，本文求得了屈曲方程的渐近解，并进而给出了发生螺旋屈曲的临界载荷和ε的监界值，并对螺旋屈曲后管柱承受的弯矩，井壁的侧向正压力以及管柱的纵向位移等进行     

片状陶瓷材料高低温电性能参数的自动检测

由进口电性能仪配上自制的高温系统，计算机自动采集数据，配置成一套高低温电性参数测定装置，该装置的特点是，升温快，炉体小巧，炉芯可更换盛液氮装置，屏蔽良好，等温区长，温工及参数测量精确可靠。