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研制出一款高性能卫星用高光谱红外焦平面CMOS(complementary metal oxide semiconductor)读出电路ROIC(readout integrated circuit)芯片。读出电路设计包括任意行选择功能以及行增益单独调制功能,满足高光谱应用对读出电路提出的新要求。读出电路7档增益可选,适用于中波与短波碲镉汞HgCdTe(MCT)芯片;其他功能包括边积分边读出IWR(integration while reading),抗晕,串口功能控制以及全芯片电注入测试功能。读出电路采用0.35 m曝光缝合工艺,电源电压5 V,测试结果表现出良好的性能:在77 K条件下,全帧频可达450 Hz,功耗可调且典型值为300 mW。本文介绍了在读出电路设计的基本架构,提出设计中遇到的问题以及相应的解决方法,在文末给出了电路的测试结果。 相似文献
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红外探测器中,冷屏结构设计直接影响其杂散辐射抑制能力。为进一步提高冷屏效率,针对冷屏高度、外壳结构对冷屏杂散辐射抑制的影响进行分析。分析采用数学建模的方式,对计算结果与探测器组件测试结果进行比较,总结规律。当冷屏高度为25 mm,探测器组件测试结果为5.46%,当冷屏高度增高到29 mm,冷屏的非有效抑制杂散辐射结构和有效抑制杂散辐射结构组件测试结果分别为6.11%和4.87%。提出了一种冷屏结构设计的新思路,仅增加冷屏高度,不一定可以提高冷屏效率;挡光环有效抑制杂散辐射时,随着冷屏高度增高,杂散辐射抑制能力变强,冷屏效率随之增高,红外探测器性能有所改善,此时调整冷屏外壳结构不会影响冷屏效率。 相似文献
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研究了单级、双级时效对铸造Al-Si-Cu-Mg合金显微组织、力学性能和耐腐蚀性能的影响。结果表明,铸造Al-Si-Cu-Mg合金时效后的显微组织主要由α-Al基体和共晶Si相构成。单级时效处理(170 ℃×10 h)后合金的峰值硬度为151.8 HV0.1,抗拉强度和屈服强度分别为287和252 MPa,伸长率为10.6%,但其耐腐蚀性能较差,最大晶间腐蚀深度达到113.3 μm。与单级时效相比,双级时效(90 ℃×3 h+170 ℃×4 h)可显著改善铸造Al-Si-Cu-Mg合金的力学性能和耐腐蚀性能,其峰值硬度提高了5.7%,抗拉强度和屈服强度分别提高了4.5%和6%,伸长率提高了两倍以上。此外,合金的耐腐蚀性能也得到了改善,最大晶间腐蚀深度为60.0 μm。合金获得较高力学性能和良好的耐腐蚀性能主要取决于均匀、细小的Si相,且灰黑色针状β相与黑色块状组织也相对较少。 相似文献
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