LD抽运高功率连续波1.34 μmNd:GdVO4激光器研究

报道了利用光纤耦合大功率半导体激光器(LD)抽运Nd:GdVO4晶体,采用平凹谐振腔,输出1.34 μm波长的高功率连续波固体激光器.在抽运功率为14.75 W时,获得最大输出功率为4.62 W,光-光转换效率为31.3%,斜率效率达32.9%.利用实验测得的阈值抽运功率和斜率效率,计算了Nd:GdVO4晶体在1.34 μm波长处的受激发射截面.     

KTN及其掺铜晶体632.8nm光折变性能研究

报道四方相KTN和KTN:Cu晶体的二波耦合实验结果,测得它们的二波耦合增益系数分别为5.6和6.8(cm~(-1)),衍射效率分别为34.2％和35％,主要载流子符号为正号。还给出了其它光折变参数的计算结果。     

GdVO4晶体的受激拉曼散射

采用熔体提拉法生长出了高质量的a轴和c轴GdVO4单晶。测量了GdVO4晶体的室温透过光谱,结果表明GdVO4晶体的短波透过截止边为338 nm,长波透过截止边大于3000 nm,透过范围覆盖紫外、可见、近红外和部分中红外波段,因此可以在较宽波长范围内实现拉曼激光频移。研究了GdVO4晶体在532 nm和355 nm皮秒激光脉冲抽运下的受激拉曼散射(SRS)。采用腔外单次通过方式,获得了3级斯托克斯线(557.98 nm,586.86 nm,618.92 nm)和1级反斯托克斯线(508.01 nm),得到GdVO4晶体一级斯托克斯拉曼散射的稳态增益系数为26.6±0.2 cm/GW,二级斯托克斯拉曼散射的稳态增益系数为14.0±0.2 cm/GW,受激拉曼散射的整体转换效率达到43%。报道了GdVO4晶体355 nm激发的受激拉曼散射,观察到2级斯托克斯谱线(365.9 nm,378.1 nm),在此条件下测得一级斯托克斯谱线的拉曼增益高达114±9 cm/GW。     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

BiB_3O_6晶体1.064μm高效三倍频输出

ＢｉＢ3Ｏ6 (ＢＩＢＯ)晶体属单斜晶系 ,点群 2 ,空间群Ｃ2 ,我们所测的晶胞参数为ａ =0 712 0 4ｎｍ ,ｂ =0 4 994 9ｎｍ ,ｃ=0 6 5 0 78ｎｍ ,β=10 5 .6°。目前 ,我们采用高温溶液法已成功生长出尺寸达到 2 4ｍｍ× 19ｍｍ× 35ｍｍ的ＢＩＢＯ晶体 ,重量为 4 8ｇ ,晶体     

高纯KTP和掺杂KTP的倍频性能

本文对山东大学晶体所生长的高纯KTP和掺杂As.Rb元素的KTP晶体的倍频性能进行了测试比较,其倍频性能都比一般KTP要好.最大倍频转损效率可达70%,并对其原因进行分析.实验所用晶体长度约6mm.对高纯KTP,测其透过率曲线表明在0.53μ处透过特性明显比一般KTP要好,即吸收系数小.测量最佳匹配方向为θ=90°,φ=22.5°,比一般KTP最佳匹配角φ=23.5°小,有效非线性系数稍有增加,所以转换效率高于一般KTP,且由于吸收小,抗光损伤阈值提高. 晶体掺杂As,Rb元素后,As,Rb原子分别取代了KTP中的K,P原子.晶胞体积     

外腔型YVO4拉曼激光器

采用提拉法生长了高光学质量的YVO4晶体,最大尺寸为28mm×40mm,重126g。以脉冲宽度为40皮秒的Nd:YAG锁模激光器作为激发源,研究了YVO4晶体在外置谐振腔条件下的拉曼输出特性：多波长输出的总转换效率达到51.4%,最大输出能量2.21mJ;1175nm一级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为32%,最大输出能量0.57mJ;1313nm二级斯托克斯拉曼输出的最高转换效率为12.3%,最大输出能量0.36mJ。     

Nd:GdVO4的光谱性质及上转换发光实验研究

测量了新型激光晶体Nd:GdVO4的室温吸收光谱和近红外区荧光谱,观察到该晶体在593 nm、754 nm和806 nm附近有3个较强的吸收带,在912.2 nm、1 063.4 nm、1 082.3 nm和1 340.6 nm有4个主要发射峰.实验研究了Nd:GdVO4晶体在不同激发波长下的上转换发光情况,得到该晶体在440 nm、540nm、600 nm和668 nm附近存在的4个上转换发射峰,分析了其产生的能级跃迁机制.     

硅酸镓镧晶体研究进展

综述了硅酸镓镧晶体近20年来的研究概况。介绍了这种晶体的结构、生长和性质，讨论和总结了研究进展及趋势。指出采用替代或双掺的方法取代该晶体中的镓及提高晶体生长质量及重复性，降低成本是该晶体实用化的关键。并提出重视在旋光效应存在条件下电光效应的利用。     

一种新双光子吸收材料PSPI的性能研究

合成了一种染料反式-4-[对 -(吡啶咯烷基 )苯乙烯基 ]-N-甲基吡啶盐碘 (PSPI).实验研究了这种新化合物的双光子吸收 ,双光子吸收引起的频率上转换发射,双光子泵浦的上转换超辐射性质 . 化合物在 1064 nm处具有中等大小的双光子吸收截面σ=5.7× 10-48cm4·s/photon,但具有很高的超辐射效率 . 当泵浦能量为2.02mJ时总的转换效率高达 16.8% .