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本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。 相似文献
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针对印刷电路板(PCB)光电图像在获取过程中 含有噪声和较模糊的边缘等各种原因,提出 了一种基于图像融合的含噪声且较模糊PCB光电图像边缘检测方法。首先,讨论了基于小波 变换 及Canny边缘检测算子的图像边缘检测法,分析了其基本原理。然后,结合两种方法的优点 ,提 出了基于图像融合检测方法的PCB光电图像边缘检测基本原理及中值滤波、增强去模糊、小 波分解、图像融合、图像去噪等步骤。最后,将由CCD成像系统及显微镜获取的主要含有高 斯噪声且较模糊的PCB光电图像用三种检测方法进行了主观实验对比,采用本文融合方法得 到的边缘图像效果最好,在抑制噪声的同时得到了连续的边缘;为了客观地评价PCB光电图 像边缘检测的效果,用峰值信噪比及图像边缘信息熵作为评价指标,采用本文方法的峰值信 噪比及信息熵的实验结果值都是最大的。 相似文献
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由于硬件木马等恶意电路的隐蔽性,攻击者可以利用其窃取机密信息,破坏硬件电路,造成严重的经济损失与社会危害.本文基于典型的芯片设计流程与EDA工具,首先建立硬件木马的电路模型,然后尝试在一简单ADC芯片中,利用其电路的剩余空间,设计实现了一种计数器木马电路.该木马电路的规模大约占芯片总面积的5.6%,将受污染的电路与真实电路一起用标准CMOS工艺HJ0.25μm流片,然后采用旁路功耗分析技术进行深入分析.实验数据表明,在正常工作情况下,受污染和没受污染的芯片功耗并无明显差异,而当木马触发条件满足时,受污染的芯片却成功的实现了攻击. 相似文献
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峰值电流模式降压DC/DC变换器芯片设计 总被引:2,自引:1,他引:2
设计了一种基于UMC 0.6μm BCD工艺的降压DC/DC转换芯片.采用固定频率脉宽调制(PWM)、峰值电流模式控制结构以提供优良的负载调整特性和抗输入电源扰动能力;在电流检测输出加斜坡补偿消除峰值电流模式次谐波振荡;设计增益较高、带宽较大的电压反馈误差放大器以提供大的负载调整率和提高负载的瞬态响应能力;设计高单位增益带宽的PWM控制器以适应高开关频率工作的要求,同时提高转换效率.系统仿真结果表明,在4~20 V的输入电压范围内,芯片的开关频率为600 kHz,开关电流限制值为1.8 A,典型应用下转换效率高达90%,并具有良好的抗输入扰动和负载调整能力、快速的瞬态响应能力、小的输出纹波等特点. 相似文献
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一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法.不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流,采用该复用方法,增加一次分段区间,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻.与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展.将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在-40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZBCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10-7/℃,实现了很高的精度. 相似文献
90.
大学生心理健康问题已经渐渐成为社会关注的焦点,本文以空间态势感知的行为轨迹分析技术为基础,设计出对具有心理疾病的人员进行及时定位的分析系统——迹忆,该系统利用基于空间态势的行为轨迹分析,运用离群偏离度的计算方法,能够实现对异常情况的及时预警,同时还能保护用户的隐私. 相似文献