掺Er HfO2薄膜材料的光致发光性质

用脉冲激光淀积(PLD)技术和离子注入的方法制备了掺Er氧化铪(HfO2)薄膜样品,观察到了样品中Er离子波长1535nm的室温和变温光致发光(PL)现象.分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退火温度选取800℃时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活Er离子,从而实现最大强度的光致发光.通过对样品光致发光激发(PLE)的测量分析发现,在Er离子的发光过程中除了直接吸收的过程之外还存在着间接激发的过程.HfO2将会成为Er掺杂的一种很好的基质材料.     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

贵族血统 Nexus5悄然来袭

北京时间11月1日凌晨,Google“五儿子”Nexus5在没有任何发布会的情况下悄然上线Google Play商店。     

关于广乐高速公路最大超高取值的说明

广乐高速公路是京港澳高速公路粤境段的复线,该项目重型车比例大,气候条件极为恶劣,本文通过对超高取值原则进行分析,确定该项目最大超高取值,并研究了超高取值与圆曲线半径的关系,以保证山区高速公路高设计速度下的行车安全.     

自动机在家庭设备中的应用

当今社会经济的飞速发展,人们生活水平的不断提高,生活步伐的加快,对家电设备自动化的普及和完善的需要也更为迫切。智能安全必将是家庭自动化未来的发展趋势。本装置是基于自动机系统的拓展研究,利用电脑等网络通信技术控制家庭的家电设备,对于经常外出的人可以较为方便的控制家庭的家电设备,避免不必要的潜在危险,所以智能、安全、便捷的自动化家庭设备的普及势在必行。     

捷联惯导欧拉角误差模型二位置对准方法

在捷联惯导初始对准优化的研究中,由于存在非线性,很难描述误差特性。为提高捷联惯导系统初始对准的精度,缩短对准时间,根据欧拉角误差的传播规律,推导了惯导系统角度和速度误差微分方程,建立了非线性的对准模型。非线性模型的计算一直是难点问题,一般采用无迹卡尔曼滤波(UKF),为减小计算量,采用了超球面采样点变换(SSUT)的采样策略,结合线性的量测方程,对滤波算法进行了改造和简化。根据全局可观性理论,为提高系统观测度,以二位置静态对准为条件,并对提出的方法进行了仿真和实验验证。结果表明,模型具有很高的精度,并能有效估计惯性器件误差。改进方法对大失准角下的系统初始对准及惯性器件测漂具有较好的参考价值。     

爆炸焊接技术及工程应用

爆炸焊接窗口是获得良好结合质量的重要方法,计算的理论模型和参数选择对结果至关重要. 从爆炸焊接参数出发,通过分析爆炸焊接窗口边界公式的发展历程、理论假设和参数选择,总结得到方便使用的窗口计算公式. 将其应用到钛/铝焊接中,分析了钛与不同牌号铝合金的焊接方式,预测了不同装药比时焊接界面的质量. 结果表明,随着铝合金硬度的升高,可焊窗口逐渐减小. 当焊接参数位于窗口中部时,界面成小波状,结合质量好;焊接参数接近窗口上限时,界面成大波状,存在大量微观缺陷.焊接窗口是重要的研究手段,能够较好的指导生产实践.     

基于优化网格的最小生成树聚类算法

提出一种基于优化网格的最小生成树聚类算法OGMST(MST Clustering Algorithm Based on Optimized Grid),一方面利用最小生成树的方法进行聚类,另一方面利用了参数自动化的网格划分技术和密度阈值处理技术,解决了最小生成树聚类算法不适用于多密度数据集的局限性,提高了现有的多密度聚类算法的效率和精度.算法还对边界点进行了有效的处理.实验表明算法具有较好的可扩展性,是一种高效、快速的聚类算法.     

AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0．22Ga0.78N／GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射(MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫一德哈斯(SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小，振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高，MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同，实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17K之间最为强烈，其它温度下的调制很弱。