多杀菌素的高效液相色谱法测定

采用高效液相色谱法对Saccharpolyspora spinasa发酵液中多杀菌素含量进行测定。本方法的相对标准偏差为0．11％。变异系数为0．15%．线性相关系数为0．99916．平均回收率为96.94％。     

4,4′-二苯醚二甲酸合成工艺研究

研究了以4,4′-二甲基二苯醚为原料,空气液相催化反应合成4,4′-二苯醚二甲酸。讨论了不同催化剂、催化剂用量、不同溶剂对反应收率的影响,优选出较佳的反应条件。收率达90%,产品纯度达99%。该合成方法收率高、操作简便、母液可反复套用、可减少环境污染,具有工业化生产价值。     

高黏度头孢菌素C发酵液的超滤研究

利用新型的板式超滤系统对高黏度头孢菌素C发酵液进行了澄清实验研究,通过实验数据与现有系统的运行数据对比,该系统基本解决了目前国内头孢菌素C发酵液超滤提纯中存在的主要过滤问题.     

基于非线性有限元的高拱坝坝肩稳定性分析-研究生论坛

处于复杂地质条件下的拱坝,坝肩岩体稳定性问题是其发生事故的重要原因之一。某水电站拱坝右坝肩发育有靠近坝体的蚀变集中带及沿该集中带的多条断层,左坝肩在坝肩槽不同高程有多条断层出露,地形地质复杂。为了正确合理地研究其坝肩岩体的稳定特性,根据水电站坝址区地形地质条件,充分考虑拱坝左右坝肩的主要断层及蚀变带等不利地质构造,建立三维有限元模型,模拟拱坝及坝区岩体在正常运行及温降工况下的应力场,采用点安全系数法分析坝肩岩体在加固和未加固的情况下的稳定性,并运用综合强度储备法评价坝肩的极限承载能力。研究结果表明,坝肩岩体点安全系数均处于合理范围内且相对较高,综合安全系数相对较大,说明坝基加固措施合理有效,坝肩具有较强的承载能力。     

NH4Cl水溶液在成过程中的致孔作用

本文以ＮＨ４Ｃｌ饱和水溶液做添加剂，对ＰＶＤＦ／ＮＭＰ体系在成膜过程中的致孔作用做了研究。铸膜液中通ＮＨ４Ｃｌ水溶液加入量的改变，膜孔径也发生变化，并出现最大值。通过Ｘ－射线衍射扫描发现制膜液中存在无机盐时膜中无定形结构增加，表明无机盐的加入有助于膜孔形成。     

轻量级PRESENT加密算法功耗攻击研究

PRESENT密码算法是2007年提出来的一种轻量级分组密码算法, 适合于物联网环境下的安全加密。对PRESENT加密算法结构进行了深入研究, 提出了其适合功耗攻击的两个最佳攻击点, 详细介绍了针对PRESENT加密系统进行功耗分析攻击的设计与实现过程, 实验结果表明未加防护措施的PRESENT加密系统不能抵御一阶差分功耗分析攻击, 从而给PRESENT加密算法的安全改进提供一定的设计参考。     

基于CUDA的AES并行算法优化

为提升高级加密标准(AES)的加密性能,利用显卡的通用计算能力,在统一计算设备架构(CUDA)平台上实现AES的128位、192位和256位3个版本的GPU并行算法,并提出优化的AES并行算法。在考虑块内线程数量、共享存储器容量和总块数的基础上,根据分块最优值的经验数据指导AES算法在GPU上的最优分块。实验结果表明,与未优化的AES并行算法相比,该算法的3个版本在Nvidia Geforce G210显卡上的加密速度分别提高5.28%,14.55%和12.53%,而在Nvidia Geforce GTX460显卡上的加密速度分别提高12.48%,15.40%和15.84%,且能更好地对SSL数据进行加密。     

基于悬臂梁称重传感器的圆弧刀研磨力测量仪设计

为解决双圆锥形圆弧刀研磨力在线测量难题,设计了杠杆原理为基础的圆弧刀研磨力测量仪,建立了圆弧刀与磨盘之间研磨力数学模型。该仪器采用悬臂梁称重传感器,并以DSP2812为主控芯片,实现了圆弧刀研磨力的在线采集、处理、存储及实时显示等功能。实验表明:仪器的称重传感精度优于0.15 N,圆弧刀研磨力变化范围降低28.8%,满足圆弧刀研制的需求。该仪器性能稳定,具有较好的实用价值,为高质量的圆弧刀研制和光栅刻划技术提供了技术保障。     

硫磺制酸技术经济述评

介绍了硫磺制酸的设计特点，设计的１２０ｔ／ｄ硫磺制酸装置全正压操作，系统阻力１５ｋＰａ，转化率９９．５％～９９．８％，吸收率９９．９５％～９９．９９％，对１２０ｔ／ｄ硫磺制酸装置进行了经济评述，基建设资因地而异，为１０００～１２００万元，硫磺到厂价为１１５０元ｔ／ｔ时，硫酸的安全成本约５５０元／ｔ。     

C/C多孔体的制备及其对C/C-SiC-Si复合材料的影响

C／C—SiC—Si材料是一种新型的复合材料。本文通过反应熔渗法将液态硅渗入C／C多孔体中得到致密的C／C—SiC—Si复合材料。重点研究了制备C／C多孔体的树脂浸渍裂解法，并测定了在不同浸渍次数下得到的不同的C／C多孔体的体积密度和气孔率，用扫描电镜观察了其形貌，讨论了不同的C／C多孔体对C／C—SiC—Si复合材料最终形貌的影响。