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21.
多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.  相似文献   
22.
三乙胺分子的共振增强多光子电离解离通道研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
张树东  方黎 《量子电子学报》1998,15(1):36-41,26
利用TOF质谱装置对三乙胺分子在和两谱区进行了共振增强多光子电离解离研究。质谱中除有极强的母体离子101^+和母体上甲基的86^+峰外,还检测到明显的58^+,42^+,30^+,29^+,30^+,29^+,28^+,26^+,27^+和较弱的72^+,70^+,56^+,44^+,15^+,12^+等峰,并与电子轰击谱进行了对照。  相似文献   
23.
锁钒  于军胜  邓静  黎威志  蒋亚东 《半导体光电》2007,28(3):324-326,353
以聚合物聚[2-甲氧基-5-(2'-乙烯基-己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)为发光层,采用旋涂方法制备了两种不同结构的有机电致发光器件(OLED),分别为:ITO/MEH-PPV/Alq3/Mg:Ag和ITO/MEH-PPV/bathocuproine(BCP)/Alq3/Mg:Ag.对两种器件的电致发光谱、J-V曲线和L-V曲线等发光特性进行了分析研究.对比发现,采用BCP为空穴阻挡层的结构具有较大的发光亮度和较高的发光效率.根据能级理论对上述实验结果进行了初步的理论分析,并对器件性能差异的原因进行了解释.  相似文献   
24.
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.  相似文献   
25.
该文提出两种低复杂度的基于符号翻转的多元低密度奇偶校验码(LDPC)译码算法:改进型多元加权译码算法(Iwtd-AlgB)和基于截断型预测机制的符号翻转(TD-SFDP)算法。Iwtd-AlgB算法利用外信息频率和距离系数的简单求和取代了迭代过程中的乘性运算操作;TD-SFDP算法结合外信息频率和翻转函数特性,对译码节点和有限域符号进行截断与划分,使得只有满足条件的节点和符号参与运算与翻转预测。仿真和数值结果显示,该文提出的两种算法在性能损失可控的前提下,可减少每次迭代的运算操作数,实现性能和复杂度之间的折中。  相似文献   
26.
分析了影响除氧器排汽的因素,通过对125MW机组增设除氧器排汽冷却器的经济性分析,认为100MW、125MW、200MW机组增设该冷却器可以减少能源损失,取得明显的经济效益。  相似文献   
27.
1 问题提出 我公司现有档案3类(文书档案、技术档案、图片档案),达3000多份,每天查阅档案的人数大约20~30人次,档案管理人员长期处在一种繁杂的工作中。随着档案种类和数量的不断增加,查找档案所花费的时间越来越长,所以,利用人工管理档案已不能满足公司业务的需要。为提高工作效率,缩短查找时间,同时也为了对档案实行规范化管理,把档案管理人员从繁杂的工作中解脱出来,1995年我们提出了利用微机网络来管理档案的设想。  相似文献   
28.
计算机及各类电子设备都是由各种不同类型的电子线路板组成的,而计算机及各类电子设备的故障,往往是由于电子线路板上某些元器件损坏造成的。如果能够迅速判断定位损坏的元器件,并及时加以更换,即可使设备恢复正常。怎样及时准确地排除电子线路板的故障,这需要通过一些维修手段来完成。  相似文献   
29.
本文讨论符合CCITT建设G.707,G.708和G.709的同步数字系列的设计原理和实施情况,介绍了模块网络单元的概念,并说明设备提供与功能的增强无关,文中给出了模块单元A,B,C的技术要求,并对现场试验进行了讨论,到目前为止,已经证明模块的试验性能符合或超过了设计要求。  相似文献   
30.
本文提出了单模阶跃弱导光纤色散的一个物理意义较直观的公式。给出了u、du/dv和d~2u/dv~2的近似公式,使色散和零色散光纤参数的计算大为简化。此外,还对残余色散以及溶凝和淬硬石英的计算结果进行了讨论。  相似文献   
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