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21.
高性能Si基MOS肖特基二极管式氢气传感器研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术。实验结果显示,MOS肖特基二极管式气体传感器具有高的响应灵敏度和好的响应重复性,可以探测浓度约为10^-6的氢气。因此,采用NO直接氧化法制备绝缘层是一种制备高可靠、高灵敏度Si基MOS SDS的技术。  相似文献   
22.
钟德刚  吴根忠 《微特电机》1996,(5):34-36,41
提出了一种以8031单片机为基础的单相电机离心开关断开转速测试系统。该系统根据离心开关断开瞬间电机电流的变化规律来判断并测出离心开关的断开转速,完全满足JB1010-81及JB7011-81单相异步电机技术条件和JB32189-83《分马力单相异步电机技术条件及试验方法》以电机整机测试来代替离心开关单独元件测试的传统办法,从而能准确测出整机装配后离主电机或潜水泵的出厂试验,同时还具有测试电机起动电  相似文献   
23.
对双绕组双速电机的优化设计问题进行了探讨。简述了改进的优化方法,重点介绍该电机的优化设计思路和在编程过程中对存在问题的处理方法,并给出部分计算结果及分析对比。  相似文献   
24.
采用滞环宽度优化控制的感应电机直接转矩控制   总被引:4,自引:0,他引:4  
文章研究了控制系统的采样时间、磁链及转矩滞环宽度对转矩、磁链脉动的影响,得出了计算滞环宽度的新公式,该公式能够有效降低磁链、转矩脉动和阻止逆变器的开关频率超过预定极限值。仿真结果证实了新方法的直接转矩控制性能优于经典的直接转矩控制。  相似文献   
25.
钟德刚  王培 《机电工程》2011,28(5):628-631
针对光伏并网系统的改善输出电压和输出电流波形、降低谐波含量以及提高直流电压的利用率等问题,将级联多电平逆变器应用在光伏并网系统中.在分析级联式多电平逆变器工作原理和其载波移相控制方法的基础上,建立了多DC-DC变换器和多电平逆变器相结合的光伏并网模型,并用Matlab对模型进行了仿真.同时提出了TMS320C2812数...  相似文献   
26.
分析了传统Pierce振荡器不足,提出了改进型的振荡器结构,并基于0.35 μm CMOS工艺,设计实现了一款低功耗高稳定性的晶体振荡器芯片.芯片有两种工作模式:正常工作模式和低功耗模式.测试结果表明,在电源电压为5 V、振荡频率为30 MHz、负载电容15 pF时,芯片消耗总电流低于5 mA,振荡电路消耗电流仅为0.6 mA,输出占空比为50±0.8%的方波信号,其频率随电源电压的变化率仅为0.5×10-6.引入低功耗模式,振荡器消耗电流降低至3μA以下,和传统结构相比,功耗降低了60%,频率随电压稳定性提高了10倍.  相似文献   
27.
数字化永磁交流伺服系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要介绍了交流伺服系统的分类和发展现状,分析了永磁无刷直流电机伺服系统的组成,最后给出了数字化永磁无刷直流电机伺服系统硬件电路和软件结构设计方案。  相似文献   
28.
为工业用8051微控制器设计了一个片上调试系统,将调试功能集成到单片机芯片内部。该系统基于专用集成电路的设计流程设计,不仅具有控制8051单片机挂起、正常运行、单步运行和指令跳转的能力,而且能够读写片内寄存器、内外部数据,程序存储器、特殊功能寄存器的值,并能在其中设置硬件断点。该调试系统使用比工业上的JTAG标准接口占用空间更少的三线接口作为其和计算机的连接通道。系统在Xilinx的xc3s400 FPGA上完成功能验证,利用SMIC 0.18μm工艺库完成版图设计。结果表明,系统有效解决基于传统软件调试和仿真器调试方式的弊端,并能省去用户购买商业仿真器的调试花费,减少调试成本,提高调试效率。提出的设计方法同样适用于其他微控制器片上调试系统的设计。  相似文献   
29.
直流电机空载脉动电流检测系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
钟德刚  王品 《机电工程》2010,27(4):48-51
为了准确、快速、方便地实现对直流电机的测速,采用了带A/D转换模块的嵌入式微控制器LPC2114和USB接口芯片CH372,完成了直流电机空载脉动电流检测系统的硬件设计,实现了对直流电机空载时脉动电流、电压和直流电流的精确采集。研究结果表明,该直流电机空载脉动电流检测系统为进一步分析直流电机脉动波形奠定了基础。  相似文献   
30.
用于便携式设备的12位低功耗SAR A/D转换器   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种适于便携式应用的低功耗12位精度逐次逼近(SAR)式A/D转换器,最高采样频率达到140 KSPS,在1.8 V工作电压下的功耗仅为1 mW;基于0.18 μm 2P4M的CMOS工艺完成版图设计,版图面积仅为0.3 mm×0.35 mm.在转换精度为12位、采样速率为140 KSPS时,A/D转换器的INL和DNL分别为0.7 LSB和0.66 LSB.  相似文献   
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