首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   214篇
  免费   19篇
  国内免费   12篇
电工技术   13篇
综合类   11篇
化学工业   11篇
金属工艺   10篇
机械仪表   9篇
建筑科学   15篇
矿业工程   17篇
能源动力   5篇
轻工业   20篇
水利工程   12篇
石油天然气   1篇
无线电   75篇
一般工业技术   10篇
冶金工业   12篇
自动化技术   24篇
  2024年   1篇
  2023年   9篇
  2022年   13篇
  2021年   12篇
  2020年   7篇
  2019年   8篇
  2018年   7篇
  2017年   4篇
  2016年   6篇
  2015年   5篇
  2014年   21篇
  2013年   2篇
  2012年   11篇
  2011年   25篇
  2010年   9篇
  2009年   14篇
  2008年   11篇
  2007年   11篇
  2006年   2篇
  2005年   3篇
  2004年   3篇
  2003年   3篇
  2002年   3篇
  2001年   7篇
  2000年   12篇
  1999年   1篇
  1998年   5篇
  1997年   13篇
  1996年   13篇
  1995年   4篇
排序方式: 共有245条查询结果,搜索用时 0 毫秒
231.
闫飞 《印刷技术》2011,(21):30-31
经过多年的发展,数字印刷技术正在为印刷行业注入新的活力,也在以前所未有的发展速度影响着人们的生活,精美的菜谱、照片书,个性化日历、台历、产品手册,我们几乎随处都可以看到数字印刷的身影。而要生产这些精美的印刷品,除了丰富绚丽的色彩还原之外,形式多样的装订工艺也必不可少。  相似文献   
232.
闫飞  陈磊 《山西建筑》2007,33(7):101-103
指出了离散变量结构优化设计的特点和难点,介绍了离散变量结构优化设计的研究现状并对离散变量优化设计方法做出分类,阐述了近年来离散变量结构优化设计方法的新进展,并根据离散变量结构优化设计问题的特征对其发展及研究方向做出展望。  相似文献   
233.
本矿床成矿期次有4次,以第1和4期次为主。大量数据显示:第1期次成矿过程萤石形成温度为240~121℃,平均176℃,属中—低温、以低温为主的热液成矿作用;第2期次成矿全过程的温度为1 221~169℃,平均734℃,属高温气液蚀变成矿作用,萤石在中—低温阶段形成;第3期次成矿过程萤石形成温度为168~123℃,平均142℃,属低温热液成矿作用;第4期次成矿过程萤石形成温度为246~115℃,平均150℃,属中—低温、以低温为主的热液成矿作用。  相似文献   
234.
235.
闫飞 《音响维修》2000,(7):25-25
故障现象:达声935型收录机放磁带时右边喇叭正常,左边喇叭噪声很大,收音正常。  相似文献   
236.
237.
一台天高VCD—980VCD机(深圳航宇电子厂生产),在使用过程中,出现无声、无图故障,经检查为解压卡损坏。该解压卡不常见(其主要芯片型号有:AV1408A、AML1011、AS4C256K16E0—50JC、W78C32BP—24等,晶体为13.5MHz);又无资料可查,试用松  相似文献   
238.
239.
采用铜箔作中间层和BAl88SiMg钎料对ME20M镁合金进行了真空炉中钎焊试验研究.结果表明,采用铜箔为中间层和BAl88SiMg钎料在真空炉中钎焊ME20M镁合金时,均存在较大的溶蚀倾向,且采用BAl88SiMg钎料钎焊ME20M镁合金时,钎焊温度和钎料量对溶蚀的影响更加显著;采用铜箔作中间层在525℃钎焊温度下得到的接头外观质量较好,接头区有高硬度的脆性相CuMg- 2生成,而在540℃钎焊温度下,由于发生严重溶蚀而不能焊合.  相似文献   
240.
为高效分离纯化花生过敏原Ara h 6,通过脱脂、蛋白浸提、阴离子交换层析分离得到目的蛋白,并用十二烷基磺酸钠- 聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)、基质辅助激光解吸/ 电离飞行时间质谱(MALDI-TOF/MS)及免疫印迹技术(Western blotting)对其进行鉴定。结果表明,该蛋白为花生过敏原Ara h 6,其分子质量约为15kD,纯度大于95%,得率为22.5%。该方法简单、高效,可为花生过敏的进一步研究提供实验材料。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号