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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题. 相似文献
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为了对 VLSI 中常规的或改进的 MOSFET 进行性能分析、设计或器件物理研究,MOSFET 的模拟程序(又称模拟器或分析器)是关键性的辅助工具。迄今在公开发表的这类程序中,比较知名的有日本日立公司开发的 CADDET,奥地利维也纳工业大学开发的MINIMOS 及美国斯坦福大学开发的 GEMINI。就性能和实用两方面来看,其中 MINIMOS 最受用户欢迎。我们已先后将 MINIMOS 移植在美国伊里诺大学固态电子学实验室的 Cyber175机上(1984年4月)及我国复旦大学微电子学研究所 VAX-11/750机上(1985年6月)成功地运行。本文对该程序作一简介。一、概述MINIMOS 是一种平面 MOSFET 静态特性二维模拟程序,它有以下特点,(1)用了近代较成熟的编程方法,因而计算机费时较少。例如在 CDC Cyber 74 相似文献
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一、引言半导体的阳极氧化技术是一项比较新的技术.玻璃容器中放入一种特定的溶液,将半导体插入作为阳极,再在溶液中放入一个阴极,然后在两极间通以电流,溶液中的氧离子与半导体表面上失去电子的正离子化合成半导体的氧化物.例如对硅来说,通过溶液的反应,在硅表面上就生长了一层二氧化硅,这就是半 相似文献
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适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一个适用于大电流的SiGe基区双极型晶体管(SiGe-HBT)的电流和频率特性的解析模型.本模型考虑了速度饱和效应,对n+pnn+双极型晶体管,当电流超过发生Kirk效应的临界电流时,本模型考虑了集电结附近由窄到宽的禁带变化对集电极电流和特征频率fT的影响.解析模型的计算结果同数值模拟结果一致,证明了解析模型是可信和精确的.本模型可用于器件设计和电路模拟. 相似文献
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目的 了解宜昌市嫖客人群艾滋病相关知识、高危行为方式、艾滋病(AIDS)及性病(STD)感染状况.方法 采用个人访谈的形式对450名嫖客人群进行了相关调查与HIV/STD感染状况检测.结果 450名嫖客中有关艾滋病传播等知识单题知晓率在40.56%~90.37%之间;嫖客中阴道交、口交和二者并存分别占81.11%、5.11%和13.78%,其安全套使用率分别为46.03%、4.35%和33.87%,差异具有显著性意义(x2=17.20,P<0.01);嫖客中HIV抗体、梅毒和生殖道沙眼衣原体检出阳性率分别为0.44%、4.65%和6.13%,生殖器疱疹和尖锐湿疣现患率分别为5.66%和9.43%,4种性病的未使用安全套暴露组与全程使用安全套对照组的相对危险度RR值在7.46~13.91之间,差异具有极显著性意义(x2值在7.01~11.09之间,P<0.01).结论 宜昌市嫖客人群中的性传播疾病知识知晓率与安全套使用率相对较低,HIV/STD感染率较高,应加强嫖客与暗娼人群的行为干预. 相似文献