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阮刚 《固体电子学研究与进展》1987,(3)
<正> 一、国际电子器件会议(IEDM)是由美国电气电子工程师学会(IEEE)主办的一个发表电子器件和应用方面最新研究、开发成果的国际性学术会议,每年举行一次,迄今已继续了三十一年,在国际电子器件和应用领域的科技人员中享有较高的声望。 1986年国际电子器件会议于1986年12月7日至10日在美国加州洛杉矶举行,参加者有1800多人。会上共发表了202篇论文,选自21个国家的522篇来稿。这些论文集中反映了固态器件、器件工艺、集成电路、量子电子学和化合物半导体器件、模型和模拟、探测器敏感器和显示器以及电子管等领域的进展。202篇论文中美国Stanford大学R.Dutton的“超大规 相似文献
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一、集成电路 TCAD 系统的提出以缩短集成电路工艺、集成电路器件和集成电路电路的设计周期以及为提高设计精度和节省设计成本为目标而发展起来的集成电路工艺模拟、集成电路器件模拟、集成电路电路模拟用器件模型参数提取等方面的集成电路计算机辅助设计软件的研制和应用,如从美国 Scanford 大学推出一维硅器件全工序工艺模拟器 SUPREM-2(1978年)算起,已有十余年的历史了。在这十余年中.随着集成电路的飞速发展,集成电路工艺的 CAD 这个领域也有了较大的进展。在集成电路工艺模拟方面,已有了较成熟的一维硅集成电路全工序工艺模拟软件,二维硅集成电路全工序工艺模 相似文献
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轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息. 相似文献
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一、引言晶体管模型及其模型参数的精度对电子电路计算机辅助设计和分析(CAD和CAA)的结果影响很大.对双极结型晶体管(BJT),已有了分级EM模型和GP模型,模型参数的测定方法也较完善.对MOS场效应晶体管(MOSFET),迄今用于CAD和CAA的模型还很不完整,还不能模拟全部工作区(亚阈、线性、饱和、击穿)的特性.用户较多的SPICE电路分析程序用的MOSFET模型是具有一定精度的较实用的模 相似文献
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集成电路工艺模拟是集成电路计算机辅助设计研究工作中的重要组成部分.国外集成电路工艺模拟计算机程序的研究和开发,已有相当的水平,其中美国斯坦福大学集成电路实验室研究和开发的SUPREM程序是较有名的一种.本文将概述SUPREM程序并介绍我们对该程序进行移植的情况,然后报道用 相似文献
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利用超声表面波在分层结构中传播的频散特性来测量薄膜的机械特性具有准确、快速、对材料无损伤等突出优点.本文研究了在Si(100)衬底上淀积双层薄膜的分层结构中超声表面波沿Si[110]晶向传播的速度-频率色散关系.应用此方法对超大规模集成电路(ULSI)中具有质软、易碎特点的低介电常数互连介质(low-k)薄膜的机械特性进行了表面波频散计算.研究了先进ULSI互连布线系统中广泛存在的3种分层薄膜结构上表面波的频散特性.计算表明不同分层结构对表面波的频散特性影响很大.对于同一分层结构,表面波的频散曲率随low-k薄膜杨氏模量的减小而显著增大.本工作为准确测定low-k薄膜的杨氏模量提供了理论计算依据. 相似文献