功率MOS和IGBT器件在无嵌位电感开关条件下的动态雪崩特性研究

The ability of high-voltage power MOSFETs and IGBTs to withstand avalanche events under unclamped inductive switching(UIS) conditions is measured.This measurement is to investigate and compare the dynamic avalanche failure behavior of the power MOSFETs and the IGBT,which occur at different current conditions.The UIS measurement results at different current conditions show that the main failure reason of the power MOSFETs is related to the parasitic bipolar transistor,which leads to the deterioration of the avalanche reliability of power MOSFETs.However,the results of the IGBT show two different failure behaviors.At high current mode,the failure behavior is similar to the power MOSFETs situation.But at low current mode,the main failure mechanism is related to the parasitic thyristor activity during the occurrence of the avalanche process and which is in good agreement with the experiment result.     

超荧光光纤光源的工作特性

研制了一种激光二极管泵浦的掺钕超荧光光纤光源,在波长１．０８μｍ处获得了１．０ｍＷ的光功率输出,谱线宽度为２１．２ｎｍ,实验中使用的是掺钕单模光纤,芯径５μｍ,截止波长１．０μｍ,其损耗在泵浦波长０．８μｍ处为１５００ｄＢ／ｋｍ,而在输出波长１．０８μｍ处为１０ｄＢ／ｋｍ。     

非线性统计法在油气资源评价中的应用

剩余油气资源是盆地勘探部署的基础,对其进行预测是勘探研究的关键。针对南海北部湾盆地北部坳陷在勘探部署中剩余油气资源认识不清的问题,根据该坳陷油田及储量的现状,运用勘探效益法和分形模型2种非线性统计法,从历年石油探明储量和单井发现率以及油田探明的储量规模等方面对其油气资源进行评价。研究结果表明:北部坳陷原油总探明储量约为2.75×10~8m~3,待探明储量约为1.40×10~8m~3,仍具有较大的勘探潜力。研究成果对该坳陷中长期规划和勘探部署提供了地质依据。     

某重型车发动机弹性支承开裂故障排查及设计改进

某重型车底盘在试验场进行跑车试验时发生发动机弹性支承开裂故障。采用故障树的思路模式,通过故障排查及主因分析发现:发动机固有频率与整车频率重合导致共振,致使芯块与壳体撞击,造成弹性支承壳体开裂。针对主因采取措施:调整弹性支承刚度。经过理论计算及试验测试,验证改进措施的有效性,跑车试验结果表明改进后的弹性支承具有较高的可靠性。     

基于功率MOS线性高压放大器设计

为了实现时输出高压的线性控制,基于功率MOSFET的电学特性,运用NMOS功率管设计一种新结构的高压运算放大器,通过模拟仿真和实验测量结果表明,当输入电压为0～5V时,电路可实现0～50V的线性输出,并且通过加入PMOS功率管进一步改进电路,可得到正负高压的输出,模拟仿真为-140～＋140V,这表明所设计的电路线性度高,可以满足高压运放的要求,且制作成本低,对现代通信中的大功率驱动具有重要意义。     

珠江口盆地西部文昌A凹陷古近系天然气富集主控因素与勘探方向

分析了珠江口盆地西部文昌A凹陷构造演化、沉积体系及其对古近系天然气成藏组合时空分布的控制,认为珠海组二、三段(扇)三角洲及潮坪砂-断背斜是主要的天然气成藏组合,恩平组断陷湖扇三角洲砂-断背斜是潜在的天然气成藏组合.对新近系天然气难以大规模成藏的原因进行了分析,指出了古近系天然气富集的主控因素和下一步天然气勘探的有利区带.     

珠江口盆地西部文昌B凹陷文昌组优质烃源岩再评价

始新统文昌组二段中深湖相泥页岩是珠江口盆地西部文昌B凹陷的主力烃源岩,长期以来被认为主要分布在凹陷中心部位。2016年钻探的X4井在文昌B凹陷东北缘文昌组二段发现了11.8 m厚的灰褐色页岩,其有机质丰度高,有机碳含量为9.32%~9.44%,生烃潜量为59.72~60.18 mg/g,氢指数为618.7~620.3 mg/g,达优质烃源岩级别;干酪根显微组分中腐泥组含量为93%,干酪根为Ⅰ型,生油潜力大;生物标志化合物中富含C30-4甲基甾烷,基本不含树脂化合物"W、T";具有低频、连续、强反射地震特征及高伽马、高电阻率和高声波时差的测井响应特征;总体上与文昌B凹陷已证实的文昌组二段中深湖相优质烃源岩典型特征一致。在此基础上,重新落实了文昌B凹陷文昌组二段烃源岩展布范围和生油量,比前人预测结果分别增大了约75%和40%,改变了以往该凹陷优质烃源岩分布较局限的认识,扩大了烃源岩展布范围,提升了整个文昌B凹陷及周缘的勘探潜力。     

基于电网智能化的中低压线损管理研究

节约能源、低碳生产是我国国民经济发展和社会长期发展的战略性任务,符合可持续发展的客观需求。作为供电企业,在输电、变电和配电能量的损耗是供电的主要成本之一。随着农村和边远地区电网建设的逐渐发展,导致中低压电网线损电量越来越大。有效降低中低压电网电量损失成为了供电企业节能减排的突破难点。笔者针对这个问题进行了长期研究,主张由构建科学的管理体系,采用创新的技术方法在中低压智能电网中的应用、集中自动化抄表模块之间的有机结合方向入手,控制智能电网中低压线路的线损,为我国中低压电网线损管理提供学术贡献。     

A novel optimization design for 3.3 kV injection-enhanced gate transisto

This paper introduces a homemade injection-enhanced gate transistor （IEGT） with blocking voltage up to 3.7 kV. An advanced cell structure with dummy trench and a large cell pitch is adopted in the IEGT. The carrier concentration at the N-emitter side is increased by the larger cell pitch of the IEGT and it enhances the P-i-N effect within the device. The result shows that the IEGT has a remarkablely low on-state forward voltage drop （VCE（sat）） compared to traditional trench IGBT structures. However, too large cell pitch decreases the channel density of the trench IEGT and increases the voltage drop across the channel, finally it will increase the VCE（sat） of the IEGT. Therefore, the cell pitch selection is the key parameter consideration in the design of the IEGT. In this paper, a cell pitch selection method and the optimal value of 3.3 kV IEGT are presented by simulations and experimental results.     

仿真玩具枪

目前,在世界一些国家和地区的枪械爱好者中流行着玩仿真枪的游戏。仿真玩具枪具有外表逼真、手感好等特点,在当地法律的允许范围内,仿真玩具枪可以使枪迷的爱枪嗜好得到一定的满足。 仿真玩具枪流行较广的国家和地区主要有日本、香港等,在那里有出售仿真枪及配套用具的商