半绝缘6H-SiC单晶的生长

用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.     

FeNiCoSiB非晶合金的强度与组织结构

本文对经单辊淬火法所制成的FeNi_(23.4)Co_(46.8)Si_8B_(14)合金带状试样,厚约0.03mm,宽约1mm左右,进行了强度、硬度的测定;研究了强度、硬度的温度稳定性;并用扫描电镜对其断口进行了观察;进而,又用X-射线衍射法研究了该种材料的结构.性能的测定是将样品放在真空度为10~(-4)mmHg的真空炉内,在不同的温度下保温30分钟,冷却后进行的.静态强度的测定是在L_(100)型微型实验拉伸机上进行的,拉伸速度为2毫米/分.硬度的测定是用显微硬度计进行的,荷重为20g,实验结果如下述.     

基于二氧化硫脲还原剥色的扎染新工艺

传统扎染图案虽造型丰富,但色彩风格较为单一,以深底白花为主。将剥色与扎染技法结合,可实现不同风格扎染图案作品。文章以二氧化硫脲为拔染剂,采用实验对比法,探讨pH值、二氧化硫脲质量浓度、剥色温度、剥色时间对活性染料染色棉织物剥色效果的影响,确定其最优剥色工艺条件是二氧化硫脲1g/L,pH值13,温度70℃,时间6min。将实验结果应用于扎染中,可以得出：采用最优剥色工艺条件,可获得全拔扎染效果;适当降低剥色工艺条件可获得渐变半拔扎染效果;将难拔染染料和易拔染染料进行拼色后拔染,可获得双色拔扎染作品。     

同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管

利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究.小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11- 00〉方向分布.根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好.据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小.     

计算机考试质量分析软件

本文阐述了考试质量分析的方法,及DBASEⅢ的实现过程     

高职服装实训教学融入课程思政路径研究——以服装缝纫基础课程为例

实训课程是服装实践教学的重要内容,文章深入挖掘“服装缝纫基础”实训蕴含的思政教育资源,凝练思政元素,并对其融入课程展开实践探索。进行课程思政教育创新设计,寓价值引领于知识传授和能力培养中,实现思政元素和实训课堂的有机融合,可充分发挥服装实训课程协同育人功能,为实现德育和智育体系建设提供参考。     

纳米级La1-xBaxCoO3半导体陶瓷的制备与湿敏性能

采用Sol-gel法化学工艺在较低温度下合成纳米级La     

拔染在棉织物扎染工艺中的应用研究

为了对棉织物扎染工艺进行创新,将靛蓝、直接染料或活性染料染色后的棉织物进行缝扎、捆扎或夹扎,再用拔染剂处理.根据拔染原理,靛蓝采用氧化剂高锰酸钾进行拔染,直接染料和活性染料采用还原剂保险粉进行拔染.结果表明:将拔染与扎染工艺相结合,以靛蓝、直接染料或活性染料为地色的棉织物均可实现与常规扎染相反的图案效果.由于染料的拔染...     

校园网面临的安全问题及解决措施

本文针对职业院校校园网的网络安全现状,进行了深入的研究和探讨,遵循＂网络安全是动态的结合;静态的防御;是管理和技术的完整结合＂等原则,得出了构筑校园网络安全体系的结论：一是采用最新的网络防御技术;二是不断改进网络管理方法。