短纤维-橡胶复合材料的制备

在总结短纤维-橡胶复合材料前期研究的基础上，综述了复合材料制备过程中短纤维的预处理、混合、分散、取向及其表征等方法，并对复合材料的发展进行了展望。     

Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体, 并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征。结果表明, Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中, 且掺杂浓度达到2.52×10¹⁸/cm³, 伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏, 掺杂浓度逐渐降低; 生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化, 并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现, 生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多, 位错密度增加, 掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数, 这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度, 并改善器件的性能。     

扎染和蜡染研究现状分析

从传统技艺和现代工艺两个方面总结近年来关于扎染和蜡染的研究现状,认为关于传统技艺(包括图案特征、色彩特征和染色方法)的研究较为全面,对其传承和保护起到积极的作用;关于现代扎染和蜡染工艺的研究(包括图案创新和工艺创新)也取得了很大的进展,扎染和蜡染产品越来越多地用于服装、服饰和家居纺织品设计。同时指出需要解决的两个主要问题:一是如何充分利用现代科学技术,使扎染和蜡染所用的染料品种更多样、染色工艺更先进;二是如何进一步严格和细化扎染和蜡染产品的相关标准,以提高产品质量,促进扎染和蜡染健康有序发展。     

单片机控制下彩色图形显示系统的应用

本文论述了在单片机控制下彩色图形显示系统的应用。这一研究结果为单片机系统的显示方式开辟了一个新的途径,大大的增强了单片机的图形显示及监控功能,进一步拓宽了单片机系统的应用领域。     

多晶Ni_3Al合金硼致塑性研究进展

本文综述了十余年来国内、外多晶Ni_3Al加硼致塑现象和机理的研究概况。讨论了多晶Ni_3Al的内禀脆性,硼在多屍Ni_3Al中的存在状态与作用,硼对晶界区化学有序的影响,硼致多晶Ni_3Al合金塑性机理的实验结果与观点,并提出了有待进一步研究的问题。     

松香蜡染工艺的探讨

松香具有粘度大、易碎裂、防染性好、易脱蜡及回收率高等特点，可用于手工蜡染。本文对松香蜡染的工艺流程、染料的选择及染色工艺作了详细的分析和探讨。     

紧密结合企业需求和生产实际的染整实验与实训教学改革

紧密结合企业需求和生产实际的染整实验与实训教学改革包括:调整实验教学内容,明确实验教学目的,让学生在了解染整行业发展趋势和企业生产现状的同时努力学好专业理论知识,掌握基本操作技能;实验教学的难度循序渐进,不断提高学生分析问题、解决问题的能力,逐步培养学生的创新实践能力;教学过程中注重环保意识、质量意识和标准意识的教育,在潜移默化中提高学生的综合素质。     

制浆黑液成分及蒸发特性研究

针对制浆黑液的特点,采用元素分析仪、X射线衍射仪（XRD）、能量散射光谱仪（EDS）及离子色谱（IC）等分析手段对黑液成分进行表征及定性定量分析,并对黑液的蒸发特性进行了初步研究。元素分析结果表明,黑液蒸发后的固体中含有N、C、H、S等元素。XRD谱图分析显示,煅烧后的黑液主要含有Na₂SiO₃、KCl、MgSO₄、CaSO₄等无机化合物。EDS结果进一步证实经过煅烧后的黑液残渣中含有Na、K、O、S、Cl、Ca和Si等元素。黑液蒸发特性研究显示,在真空条件下,随着温度的升高,蒸发速率逐渐增大,随着蒸发时间延长,冷凝液体积不断减小;虽然真空条件下,不同温度蒸发得到的冷凝液体积下降的速度不同,但蒸发至冷凝液体积为0 mL时所需时间却相差不大,因此在黑液的实际治理过程中,在真空蒸发的情况下可以在温度较低的条件下（40～60℃）进行蒸馏,节省成本。真空条件下的蒸发实验结果表明,不同温度下的冷凝液成分相似,主要含有丙醇以及1,3-丙二醇等醇类有机小分子物质。     

低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备

碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^-2,基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^-2。