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基于模态叠加理论,通过桥梁多个截面处加速度响应数据,计算得到桥梁受移动荷载作用下的模态加速度.根据d'Alembertian原理,桥梁截面任意时刻的动弯矩可看作是任意时刻受惯性分布力和移动荷载作用下的静弯矩.利用影响线,建立起移动荷载与弯矩之间的关系,提出了一种利用弯矩影响线识别移动荷载的方法.算例表明,当荷载只有一个时,可由单点弯矩直接识别,当有多个移动荷载时,可基于多个截面的弯矩数据,利用最小二乘法可以有效的识别出任意时刻作用于桥梁上的移动荷载值.该方法避免了求解桥梁的动力学微分方程,识别精度高且过程简单,适合于工程应用. 相似文献
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
33.
针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求. 相似文献
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35.
校园网宿舍网络管理模式的探讨 总被引:9,自引:1,他引:9
讨论了高校学生宿舍区网络的特点,结合天津商学院校园网的实践,讨论了校园网宿舍网络管理的模式。 相似文献
36.
网络媒体必须增强社会责任感 总被引:2,自引:0,他引:2
"2003中国网络媒体论坛"于10月10日在北京开幕.国务院新闻办公室副主任蔡名照发表了主旨讲话.以下是讲话的部分内容. 相似文献
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38.
39.
声环境是体育场内空间环境要素中的一项。介绍了2008年第29届北京奥运会主体育场即国家体育场的建筑声学设计思想、实施措施、实验测量、材料分析、模型模拟、实测数据、主观听音等情况。最后谈到体育场声学设计的几个一般性问题。 相似文献
40.