基于PLC的铜线装载系统液压设计

针对现有铜线装载工序的复杂性缺陷,设计了一种基于PLC的铜线装载液压系统。根据用途分析了铜线装载的动作循环及工作原理,设计了铜线装载液压系统及PLC控制电路。该装载液压系统结构简单,运行平稳,精度满足工作要求,其液压系统和PLC控制系统简单可靠。     

低碳环境下微电网供需联合优化调度

全球多国积极发展低碳经济,大力开发清洁能源。电力市场化改革的积极推进和用户用电个性化的提高,使得电源侧机组调度和需求侧用电管理结合的供需互动理念逐渐成为重要的研究课题。本文建立了以总运行成本最小为目标的微电网供需联合调度模型。该模型对电源侧考虑微源发电的经济性与环保性进行互补发电调度,对需求侧负荷调度时考虑阶梯式补偿价格,并在微电网供需联合调度的经济性目标函数中引入环保性参数,最后仿真验证模型的有效性,并分析了不同补偿价格对削减类负荷调度结果的影响。     

浅谈建筑电气节能设计

本文结合建筑设计的特点,从建筑照明及其控制的节能供配电系统及电器产品的节能入手,探讨了建筑电气节能设计的措施。     

信号完整性工具汇入主流

随着深亚微米ＩＣ和时钟速度超过５０ＭＨｚ的印制板不断普及，设计师必须注意研究元器件之间的连接。直到最近以前，大多数ＩＣ或ＰＣＢ设计师都不太在意互连线延迟。但现在已有一些人开始寻找适当的ＥＤＡ工具以预估互连线延迟对整个设计的影响。可喜的是，今天的ＰＣ和工作站的计算能力越来越强，还出现了一批新工具，因而设计师可以对这些复杂问题进行仿真。ＥＤＡ厂家说，它们推出的那些工具可以筛选和分析这些互连线延迟，并把潜在的问题向设计师提出报告。新发展信号完整性分析工具的一个最新进展是ＯｐｔＥＭＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ…     

凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.     

凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.     

4H-SiC MESFET结构外延生长技术

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.     

基于PLC的铜线装载液压系统设计

针对现有铜线装载工序的复杂性缺陷,设计了一种基于PLC的铜线液压装载系统。根据用途分析了铜线装载的动作循环及工作原理,设计了铜线装载液压系统及PLC控制电路。该装载液压系统结构简单,运行平稳,精度满足工作要求。     

High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with fmax=256 GHz and BVCEO= 8.3 V

正An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology.All processes are on 3-inch wafers.The DHBT with an emitter area of 1 x 15μm~2 exhibits a current cutoff frequency f_t = 170 GHz and a maximum oscillation frequency f_(max) = 256 GHz.The breakdown voltage is 8.3 V,which is to our knowledge the highest BV_(CEO) ever reported for InGaAs/InP DHBTs in China with comparable high frequency performances.The high speed InGaAs/InP DHBTs with high breakdown voltage are promising for voltage-controlled oscillator and mixer applications at W band or even higher frequencies.