乙苯和对二甲苯在ZSM-5分子筛上吸附的蒙特卡罗模拟

采用巨正则统计系综蒙特卡罗模拟方法研究了高温条件下乙苯和对二甲苯在不同硅铝比ZSM-5分子筛上的吸附行为,并结合工业样品的催化反应进行了验证。GCMC模拟结果表明：在不同硅铝比ZSM-5上乙苯的吸附能均高于对二甲苯,乙苯和对二甲苯的吸附位在两种孔道的交叉处,随Al含量的增加,吸附状态多样化;温度623 K下,压力在200 kPa左右时吸附量已达到平稳。催化反应评价结果表明,乙苯生成苯的反应比对二甲苯生成甲苯的反应更容易进行,与吸附扩散的规律一致。     

重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析

研究了重离子单粒子辐照（Single event effect,SEE）效应对超薄栅氧化层（1.2 nm厚度）的斜坡击穿电压（Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB）的影响情况。采用209Bi（离子能量为1 043.7 MeV）对65 nm CMOS电容进行（1～2）×10⁷ion/cm²总注量的重离子辐射试验,并在辐射过程中进行VRDB试验。试验结果发现,经过209Bi重离子辐射后,超薄栅CMOS电容的泄漏电流略微增大,跨导-电压曲线稍有畸变;进行累积模式和反型模式的斜坡击穿测试,发现栅氧化层的斜坡击穿电压减小近5%。通过扫描电子显微镜（SEM）检查发现,重离子辐照后栅氧化层中形成微泄漏路径,导致其击穿电压降低,并强烈影响超薄栅氧化层的长期可靠性。     

主动雷达成像导引头几个问题的研究

研究了主动雷达成像导引头的工作模式、成像方法和系统控制方式。通过对雷达导引头子孔径数据进行聚束处理，在短时间和大前斜视角情况下完成对其天线波束覆盖的地面目标区域的快速成像，利用雷达图像跟踪和单脉冲跟踪两种跟踪模式分别解决对目标的远距离前斜视跟踪和近距离前视跟踪问题。分析设计了一近程主动雷达成像导引头在Ku和Ka波段的指标并给出其主要的技术参数。     

纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析

采用真空蒸发和大气环境下后热处理的方法制备了纳米量级颗粒均匀的Ag-TCNQ薄膜。通过可见光范围透射谱、x射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱以及x光电子谱等分析研究了薄膜的物理和化学性质，发现热处理可促使Ag和TCNQ发生充分的络合反应并减小薄膜的颗粒度，在此基础上利用STM实现了局城电双稳态的转变和纳米存储点的写入。     

基于多尺度重叠滑动池化的SSD果冻杂质检测方法

提出一种基于SSD的杂质检测方法,用于检测生产线中果冻内部的杂质,并标注出杂质的类型和位置。在预处理阶段,提出滑动图像块分割方法,将整张果冻图像分割成若干图像块,避免杂质占比过小,造成准确率低的现象。使用迁移学习的方法,将神经网络在ImageNet数据库上学习到的特征迁移到果冻数据库中,加快网络收敛速度,同时,在一定程度上避免了过拟合现象。提出多尺度重叠滑动池化(SOSP)方法,取代第五层池化以取得更加鲁棒的特征池化。最后,将一幅图下的所有分割块上的检测结果进行整合,得到整张图像的检测结果。实验结果表明,本文提出的方法有效可行,对多种缺陷平均准确率达到0.7271。相比其他方法,本文的算法更具鲁棒性,可应用到果冻生产线中。      

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.     

聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究

主要研究了不同的反应离子刻蚀条件（氧基工作报体、刻蚀功率、工作气压等）下所获得的不同刻蚀效果。当以Ｏ２／ＣＨＦ３作为工作气体时,在一定的工艺条件下实现了高深宽比（深度２３μｍ,深宽比〉７）、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果;同时还观察到随着ＣＨＦ３浓度的增加,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律。利用ＣＦ２印化保护模型可很好地解释决这一现象。     

用激光诱导击穿光谱技术定量分析矿石样品中Si和Mg

激光诱导击穿光谱(LIBS)技术被用来定量分析矿石样品元素成分.波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光聚焦在样品表面后产生激光等离子体,等离子体原子发射谱由微型光谱仪记录.为了优化实验条件,研究了激光能量和延时时间等部分参数对谱线强度的影响.实验发现激光脉冲能量对光谱信号的影响大.在选定的变化范围内,改变延时对光谱的影响较小.实验中分别以硅(Si I谱线251.6 nm)和镁(Mg I谱线285.2 nm)为分析线,采用外定标法对硅和镁的含量进行了反演,测得的硅和镁元素含量值与标准值的相对误差分别为7%和3%.     

基于OMAPL138的高速信号处理系统信号完整性分析

以基于OMAPL138的高速数字信号处理系统为例,分析了信号完整性在高速电路设计中的重要性及问题产生原因,通过仿真提出了信号完整性问题中的反射和串扰的解决方案,并具体阐述了在实际工程设计中如何控制高速信号的时序,以及如何保证电源系统的完整性。实践证明,高速数字电路设计中,保证信号完整性可以有效的保障系统的稳定运行,提高设计的一次成功率。     

东濮凹陷古近系沙河街组烃源岩生烃底限及其差异探讨

随着油气勘探不断向地层深部拓展,弄清烃源岩层生烃底限对于确定含油气盆地有效勘探领域范围和评价油气资源潜力都具有十分重要的意义。为此,以渤海湾盆地东濮凹陷古近系沙河街组烃源岩为研究对象,根据烃源岩层生排烃机理,采用有机元素变化分析法、生烃潜力法、残留烃量法和排烃量法4类7种方法对该区烃源岩的生烃底限进行了研究。结果表明:1用不同方法确定的沙河街组烃源岩生烃底限相差不大,全区生烃底限对应的镜质体反射率值(Ro)介于3.23%~3.97%,平均为3.71%,全区生烃底限对应的深度H值介于5 244~5 525m,平均为5 433 m;2凹陷北部生烃底限Ro介于3.61%~3.97%,平均为3.81%,其生烃底限H值介于5 415~5 545m,平均为5 488 m;3凹陷南部生烃底限Ro介于3.20%~3.74%,平均为3.48%,其生烃底限H值介于5 265~5 375m,平均为5 278 m。结论认为:该区南、北地区生烃底限存在差异,北部地区生烃底限对应的热演化程度(Ro)值和深度值明显高于南部地区,这与凹陷北部沙河街组发育巨厚膏盐层有关,主要体现为南、北地区在有机质类型、地层温度和压力等方面存在着差异性。