全文获取类型
收费全文 | 75篇 |
免费 | 8篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
电工技术 | 40篇 |
综合类 | 9篇 |
化学工业 | 4篇 |
机械仪表 | 5篇 |
建筑科学 | 14篇 |
能源动力 | 5篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 1篇 |
一般工业技术 | 12篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 5篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 7篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有92条查询结果,搜索用时 46 毫秒
81.
在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献
82.
本文报告了我们首先提出的采用a-Si:H/nc-Si:H异质结作为大屏幕投景液晶光阀光敏层,向列型液晶作为液晶光阀调制层的一种新型液晶光阀。A-Si:H光导层和nc-Si:H阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下nc-Si:H薄膜的结构和光电性质。A-Si:H和随之沉积的nc-Si:H形成了a-Si:H/nc-Si:H异质结,本文还讨论了它的光电性质。采用a-S 相似文献
83.
84.
纳米硅薄膜结构特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为2~10nm的纳米微晶相结构的硅薄膜,使用高分辨电子显微镜(HREM),X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)等结构分析手段检测了其结构特征.结果表明,纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构.X射线衍射谱表明除了Si(111)的2θ=28.5°和Si(220)的2θ=47.3°处的衍射峰外,在2θ=32.5°处存在着一个强的异常峰.HREM结果表明存在新的Si结晶学结构与XRD异常峰相关联. 相似文献
85.
在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷加乙烯法制备了nc-SiCx:H薄膜。系统研究了C2H4/(C2H4+SiH4)(Xc)气体流量比对nc-SiCx:H薄膜的晶化和其它不龟性能的影响。 相似文献
86.
为了实现对电磁机电混合实时仿真系统(supermixedreal-timesimulation,SMRT)平台实用化的正确评估,对SMRT的关键性能进行了综合测评,首先在SMRT平台上建立了南方电网2013年丰大方式计算模型案例,利用仿真误差评价指标对SMRT仿真结果、BPA仿真结果和PMU/TFR录波进行了量化比较,评估了SMRT仿真的准确性;然后在稳态和暂态过程中对SMRT平台进行了耗时测试,验证SMRT仿真的实时性;最后对SMRT平台的易用性做出客观评价。综合测评结果表明,SMRT平台具有较高的仿真可信度,平台实用化具有可行性。 相似文献
87.
88.
89.
90.