非晶硅锗／非晶硅超晶格红外敏化感光体的研究

本文详细研究了非晶硅锗／非晶硅（ａ－ＳｉＧｅｘ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ）超晶格材料作为电荷产生层和非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）作为电荷输运层的近红外敏化的新型感光体。光电测量、光衰减特性测量（ＰＩＤ）和渡越时间法测量（ＴＯＦ）等结果表明：电荷产生层和电荷输运层之间的异质界面性质严重影响感光体的性能，具有良好异质界面的感光体有优异的光衰减特性；感光体的表面荷电能力大于２５Ｖ／μｍ，半暗衰减时间大于１０秒，半光衰时间小于０１秒，残余电位约等于零；感光体对近红外光（７５０ｎｍ～８００ｎｍ）的光敏性（Ｅ１／２）优于普通非晶硅感光体的光敏性。因而，这种新型感光体可望用于激光打印机中。     

浮法玻璃熔窑水包位置变化对玻璃液流动影响的数值研究

采用数值模拟方法,分析了置于浮法玻璃熔窑卡脖内、深度为0.4 m的水包位置变化对窑池和卡脖内玻璃液流动状态的影响,并计算了不同水包位置的卡脖出、入口处生产流及回流量。结果表明,当水包位置由卡脖入口附近向卡脖出口变化时,卡脖入口处的生产流量和回流量逐渐增加,但它们的平均温度却随之降低;卡脖出口处的生产流量、回流量却减少,而它们的平均温度也都逐渐降低。水包靠近卡脖入口,回流量减少,有利于降低能耗。     

纳米硅薄膜制备新技术——逐层生长法

介绍了利用逐层生长法（ｌａｙｅｒ ｂｙ ｌａｙｅｒ）在等离子体化学气相沉积系统中制备纳米硅薄膜，着重介绍了制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制。指了氢基团为制备新技术发展的关键，并且将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。     

掺氮二氧化钛薄膜的介质阻挡放电化学气相沉积及其结构性能研究

采用介质阻挡放电化学气相沉积（DBD-CVD）法,以四异丙醇钛（TTIP）作为钛源,氨气（NH3）和笑气（N2O）分别作为氮源的气相反应先驱体,成功制备了不同掺杂量的掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。SEM、XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明：所制得的掺氮二氧化钛薄膜均为锐钛矿相,氮源的引入对TiO2薄膜晶粒成长、晶体取向、表面形貌影响很大,并促使光吸收限红移,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能。且NH3掺氮效果整体好于N2O。     

紫外透射型液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了透射型ZnS,Se1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-,光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnS,Se1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,薄膜 的紫外/可见光响应对比度大于103,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在360～410nm范围内连续可调;薄膜的紫外/可见光吸收系数比大于103;在液晶光阀工作的低频段(＜200Hz),其暗阻抗在105～106Ωcm2之间;暗/亮阻抗比满足器件要求.     

掺铒氟氧化物透明玻璃陶瓷结构及光学性能研究

采用高温熔融及热处理工艺,制备了透明度良好的Er3+离子掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷,并研究了不同Er3+离子掺杂浓度下,玻璃陶瓷微晶结构、紫外-可见波段吸收光谱、近红外发射光谱的变化.结果表明随着Er3+浓度的增加,玻璃陶瓷中的微晶相β-PbF2晶格常数减小;紫外-可见波段吸收光谱中超灵敏跃迁4I15/2→4G11/2和4I15/2→2G11/2的强度增强;同时1.53μm处近红外发射峰的半高宽增大.此外,还进行了上转换发射光谱的测试,结果表明经过热处理后,玻璃陶瓷的上转换峰要大大强于原先未经热处理的玻璃样品.     

生物医用钙磷酸盐微晶玻璃

钙磷酸盐微晶玻璃因其具有生物活性、生物相容性 ,而广泛应用于牙科、骨科的替代及骨组织工程等领域。本文就钙磷酸盐微晶玻璃材料的制备工艺、组成性能、invitro vivo实验及医学应用作了较详细的评述。     

特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究

采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜。高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明,成膜温度对薄膜微结构有关键影响,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的篚。660℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为8－12nm,晶态率为50％的纳米Si晶粒,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征。用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明,随成膜温度的升高,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系。研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率,进而提高其室温暗电导率。     

Zn掺杂制备介电可调PST薄膜

采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构.在不同外加直流电场下测试Zn 掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系.发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性.另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小.     

氢氧化镧纳米线的水热合成及其表征

以硝酸镧为原料,氢氧化钾为矿化剂,采用水热法成功制备出了氢氧化镧纳米线,并利用X射线衍射(XRD),选区电子衍射(SAED),透射电子显微镜(TEM)对所形成纳米线的物相和结构进行了表征.探讨了氢氧化镧纳米线的生长机制,和温度对其形貌变化的影响规律.研究发现,由于较大的晶体结构各向异性.六方相氢氧化镧沿[100]晶向取向生长,合成出单晶的氢氧化镧纳米线;较高的反应温度有利于制备相对较长,结晶完善的氢氧化镧纳米线的合成.