过渡金属体系有序介孔材料研究进展

过渡金属体系有序介孔材料在催化、光、电、磁等领域有着硅基介孔材料无法比拟的优越特性.详细地介绍了过渡金属体系有序介孔材料的合成和机理,简要地介绍了其应用.     

阻塞流及其对调节阀流量系数计算的影响

阐述阻塞流现象、产生机理及其判别式,并通过实例说明阻塞流对流量系数计算的影响.     

电站配管计算机辅助设计系统的研究

以管材数据库为基础,研究出采用AutoCAD和Borland C++为平台的电站配管计算机设计系统(简称PPCADS)。该系统中,基于人工智能技术的三维管道图形快速录入子系统FSD,解决了电力设计院管道设计图纸的数据计算机识别,为配管设计重建了管道数字模型;制定了电站配管的优化设计方案,并提出了优化设计的算法。该系统在杨柳青电厂三期扩建工程的应用结果表明:电站配管计算机设计系统可有效提高管道预制的配管设计质量和效率,减少原材料浪费和设计周期。     

行走助力机器人的运动学计算和液压系统分析

通过对人体行走方式和姿态的分析研究,确定了行走助力机器人髋部、膝部、踝部3个关节的尺寸及动力驱动类型,并完成机器人的结构装配;设计驱动液压系统的原理图,对驱动系统中液压缸的动作进行算法优化,并采用拉格朗日算法完成机器人的运动学分析;使用Virtual.Lab Motion与AMESim进行机液联合仿真,将仿真结果与计算所得曲线进行对比,证明了运动学分析的正确性和液压驱动系统的可行性。     

基于声发射信号的风电叶片缺陷定位及信号衰减仿真

为利用声发射信号对风电机组的叶片(下文简称"风电叶片")的缺陷位置进行定位,并分析信号的衰减特性,以由玻璃纤维-环氧树脂复合材料为主要材料制作的风电叶片为研究对象,通过ANSYS软件中的LS-DYNA模块仿真研究了声发射信号在该复合材料中的传播速度、规律及衰减特性.研究结果表明:声发射信号的传播方向与该复合材料中的玻璃...     

基于卡尔曼滤波的动平衡测量过程调节方法

针对目前所采用的消除动平衡机测量偏倚的定期重新标定方法将造成生产线不必要的停工,从而提高制造企业的生产成本问题,提出基于卡尔曼滤波的动平衡测量过程在线调节方法.利用泰勒展开方法对振动响应测量值进行坐标变换以消除观测方程的非线性.结合多变量统计过程控制(MSPC)对测量过程进行监控以检测测量偏倚,提出通过追踪状态参数变化对测量偏倚进行补偿的方法.通过对样机长期的状态监控数据对该方法进行验证.结果证明,该方法能够快速诊断出测量偏倚并对其进行准确的补偿,在保证测量系统精度的同时,最大限度地缩短停工时间.     

水平轴风电机组叶片摆振与挥舞机理建模

水平轴风电机组叶片振动机理建模是研究叶片振动规律及进行故障诊断的基础。基于多坐标变换,考虑塔影效应、几何非线性和桨距角变化等因素的影响,建立结构动力学与空气动力学耦合的水平轴风电机组叶片摆振、挥舞振动机理模型。以某2 MW风电机组柔性叶片以及某场站3 MW风电机组叶片为对象,构建了多体动力学模型,分别与GH Bladed软件计算结果和机组实测数据相比,具有较高的吻合度。基于此模型,研究了稳态工况下,塔影效应、几何非线性以及桨距角变化对叶片运行参数和振动的影响。结果表明,叶片轴向推力和转矩在塔影区有明显下降,同时挥舞方向振动在塔影区存在显著波动。叶片的侧向弯曲刚度随着方位角的变化呈谐波式变化,转速影响叶片侧向弯曲刚度大小。当风速过大时,叶片通过桨距角变化可以有效抑制振动。     

振动监测技术在风电机组齿轮箱故障诊断中的应用

研发了针对风力发电机组传动齿轮箱的振动监测与故障诊断系统。该系统主要由本机监测系统、风电场集中监测诊断系统、远程监测诊断中心3层结构组成。本机监测系统完成机组传动系统各部件的状态监测数据的采集,并将数据传输到风电场集中监测诊断系统。风电场集中监测诊断系统主要进行数据存储、显示和分析诊断,并将数据通过互联网传输到远程监测诊断中心,实现风电场设备群的远程监控分析和精细故障诊断。给出该系统的应用实例,通过对比分析2台相同型号风电机组的齿轮箱振动信号,实现对出现异常状态机组的判断,保障风电机组设备的安全可靠运行。     

基于数值天气预报的风能预测系统

随着世界范围内风电事业的飞速发展,大量大容量风电机组直接接入高压输电网络,是对电网安全运营、电能质量保证的重大挑战,迫切需要使用风能预测系统来对风电机组的发电功率进行预测。提出一种基于数值天气预报以及人工神经网络的混合型风能预测系统。该系统以基于数值天气预报的风速和风向预测数据作为输入数据,以自组织神经网络作为预处理模型,以径向基函数网络模型作为预测模型,并依据特定风电机组或风场的发电量的历史数据对输出数据进行修正。用该预测系统对河北某风电场进行了实例计算,得到可接受的预测结果,表明系统可行。     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.