基于工况细化条件下数据统计分析的风电机组齿轮箱油温故障预警方法

文章针对风电机组齿轮箱油温劣化特征识别问题,提出了一种基于工况细化的异常变化检测和故障早期预警方法。该方法根据风机叶轮转速将机组运行数据进行细化分仓,在每个叶轮转速仓中建立基于概率统计分析的齿轮箱油温正常行为模型并设定其温度分布和温升变化的异常阈值;然后对现场机组齿轮箱油温变化进行监测,利用时序滑动窗口的评估方式实现风机齿轮箱油温故障预警。     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.     

输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件

MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016cm-3;非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过108Ω·cm,相应的方块电阻超过1012Ω/□.50mm HEMT外延片平均方块电阻为440.9Ω/□,方块电阻均匀性优于96％.用此材料研制出了0.2μm栅长的X波段HEMT功率器件,40μm栅宽的器件跨导达到250mS/mm,特征频率fT为77GHz;0.8mm栅宽的器件电流密度达到1.07A/mm,8GHz时连续波输出功率为1.78W,相应功率密度为2.23W/mm,线性功率增益为13.3dB.     

MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构

用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.     

蒙特卡洛法在火焰热辐射计算中的应用

讨论了蒙特卡洛法在火焰热辐射通量计算中的应用,将该方法计算结果与理论计算值和试验值作比较.通过比较发现,在燃烧稳定阶段该方法计算结果与理论计算结果的相对误差为15.7%～28.7%;由于火焰的振荡性及外界风流的影响和仪器本身灵敏度的差异,导致该方法与试验值在稳定燃烧阶段的差异,但二者在该阶段的平均值分别为448.998 W/m2 和381.136 W/m2,相对误差为17.805%.     

新年笔谈

计算机在工业控制中的应用开始于五十年代的后期,那时各个工业领域中都进行着探索和试验。在化工自动化行业中比较引人注意的要算美国蒙山都氮肥厂的计算机自动化。在六十年代初期这个公司的技术工作者连续发表了三篇文章,展述他们在氮肥生     

用SSC组成辅助锅炉燃烧调节系统

辅助锅炉是日产千吨氨厂中重要的热力设备,它提供高压蒸汽以驱动合成气透平压缩机。现将我厂用日本山武—霍尼韦尔公司的SSC(单回路智能调节器KSM)组成的燃     

浅谈离心式压缩机综合控制系统

就离心式压缩机综合控制系统的构成和所实现的功能作了简要的介绍,介绍了包括防喘振控制策略的构成以及在防喘振过程中各自所起的作用,实现压缩机性能控制的基本原理和改变压缩机工况点位置的几种基本方法。探讨了性能控制和防喘振控制之间的耦合关系,详细分析解耦条件以及采用解耦控制算法前后压缩机在性能上获得的改善。