ECR-MPCVD单晶金刚石外延生长研究北大核心CSCD

借助高速光纤光谱仪对ECR微波等离子体进行实时诊断,研究了等离子体空间分布以及工作气压和甲烷浓度对等离子体发射光谱的影响,并在ECR-MPCVD设备上研究了单晶金刚石同质外延生长工艺。在CH4/H2体系下,ECR微波等离子体与运行于中高气压下等离子体中所含基团种类基本相同。且等离子体各基团谱峰相对强度沿磁场强度梯度下降的方向减弱,在磁场共振区(875 Gs)最强,将基片台置于磁场共振区,则基片台附近各基团谱峰相对强度随气压的升高先增强后减弱,I(H_(α))、I(H_(β))、I(H_(γ))峰值在气压0.6 Pa附近,I(CH)和I(C_(2))峰值在0.8 Pa附近。保持工作气压为0.8 Pa,甲烷浓度从0.5%增加到8%的过程中,I(H_(α))几乎不变,I(H_(β))和I(H_(γ))先降低后趋于饱和,I(CH)和I(C_(2))先增强后趋于饱和;I(H_(α))/I(C_(2))先急剧下降后缓慢减小再趋于饱和,I(H_(α))/I(CH)缓慢减小并趋于饱和,I(CH)/I(C_(2))和I(H_(γ))/I(H_(β))基本不变。以微波功率1200 W,氢气流量50 mL/min,甲烷浓度3%,工作气压0.8 Pa,金刚石种晶温度800℃的条件下生长10 h,在抛光的单晶金刚石表面得到了呈台阶状生长的外延层,生长速率为200 nm/h。     

微波ECR氧等离子体参数测量

利用双探针对微波ECR氧离子体参数进行了诊断研究,测量了等离子体的双探针伏安曲线并计算出电子温度和离子密度,分析了气压、微波功率、氧气流量等参数对等离子体参数的影响.结果表明:a.随着气压的升高,等离子体密度先增大后减小,电子温度逐渐减小.b.等离子密度随微波功率的增加先增加后达到饱和,电子温度受微波功率影响很小.c.随着氧气流量的增加,等离子体密度和电子温度都减小.     

振冲碎石桩在垃圾场地中的应用

通过在大型垃圾场上建造重型铸造厂房的工程实例,简述振冲法加固成分复杂、深厚垃圾堆场地基的机理和效果。进行单桩复合地基荷载试验并辅以重型动力触探,验证前期的设计假定。通过对检测结果的分析,判断加固效果。     

智能电网调度控制系统中历史数据服务优化方案

在智能电网调度控制系统中,历史数据存储规模呈爆发式增长态势,海量历史数据的冲击,影响了数据访问效率,为满足历史数据高效访问的需求,针对历史数据服务提出了全新的解决方案。文中提出增加历史数据缓冲区,缓存管理电网热点数据,提高数据处理效率,减轻历史库负载;优化任务分配器,协调数据缓存区与关系库分工作业,对历史数据服务进行有效的管理和调度;设计历史数据会话监听机制,实时监视数据库会话状态,保障历史数据服务的安全性和稳定性。实践证明,基于缓存的历史数据服务能够满足爆发式海量数据场景下的数据访问需求,保障电网调度控制系统的安全稳定运行。     

钨表面激光处理对金刚石膜附着力的影响

利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),在CH₄/H₂体系下沉积金刚石膜,通过发射光谱仪测量等离子体参数,结合Raman光谱仪测量金刚石膜的内应力, 用SEM测试金刚石膜的表面以及断面形貌,通过热震试验来探究钨表面激光处理对金刚石膜附着力的影响。结果表明:钨片表面激光处理能释放金刚石膜的应力,增强钨片与金刚石膜的附着力;在确保钨与金刚石膜附着力得到极大提高与钨片表面损伤尽量小的前提下,钨片表面切割深度在0.035 mm时较合适。      

高温下多种工业固体废弃物复配体系的熔融特性研究

以粉煤灰、煤矸石、电石渣、镁渣和赤泥等五种工业固体废弃物为原料,按照不同酸度系数进行复配,分别采用灰熔融温度测定仪和高温黏度测定仪测定了高温下复配样品的熔融特征温度和黏度变化。结果发现,酸度系数在0.95~1.19范围内时,熔融特征温度随酸度系数的增大而升高;在酸度系数较大时,酸度系数对熔融温度的影响更为明显;熔体的黏度随温度降低而增加;当黏度在0~1000 mPa·s范围内,随样品中Fe2 O3含量增加,熔体黏度随温度的变化速度降低。     

MP-CVD中CH4浓度对CH4/H2等离子体中基团的影响

采用发射光谱法(OES)诊断了微波等离子体化学气 相沉积(MP-CVD)制备金刚石膜过程中CH₄浓度对 CH₄/H₂等离子 体中基团分布的影响,并利用拉曼光谱对不同CH₄浓度下沉积的金刚石膜生长面进行表 征。研究表明:CH₄/H₂等离子体中存在Hα、Hβ、Hγ、CH、C₂基团,且各基团谱线强度随CH₄浓度 的增加而增强,其中C₂基团的光 谱强度显著增强;CH₄/H₂等离子体电子温度随CH₄浓度的增加而上升;光谱空间诊 断发 现等离子体球中基团 沿径向分布不均匀,随CH₄浓度增加,C₂和CH基团分布的均匀性显著变差;沉积速率 测试表明,单纯增加CH₄浓度不能有效提高金刚石膜的沉积速率;Raman光谱测试结果 表 明,低CH₄浓度(0.8%)下沉积出的金刚石膜质量更理想。     

CVD金刚石膜的抛光研究进展

化学气相沉积的金刚石膜表面一般比较粗糙,需要经过抛光才能实现其具体的工业应用。本文介绍了各种抛光CVD金刚石膜的方法及近来研究进展,分析了各种技术的优缺点,并结合工业应用对CVD金刚石膜的抛光前景作了展望。     

新型大面积圆筒状等离子体源制备金刚石膜

针对圆筒状基底材料的几何特征,设计了与之匹配的新型大面积圆筒状等离子体源。使用该等离子体源以乙醇蒸汽和氢气为气源在石英玻璃管外表面沉积金刚石膜。采用扫描电子显微镜、Raman光谱及X射线衍射表征了金刚石膜的质量;设计腐蚀实验检验了金刚石膜的抗腐蚀效果。结果表明:(1)在反应气压为5.5kPa、V乙醇/V氢气=8%、石英玻璃管温度为500℃的条件下,得到的均匀致密的纳米金刚石膜能有效增强石英玻璃管的抗腐蚀性能;(2)针对基底的尺寸和外形特征设计与之匹配的等离子体源是均匀制备金刚石膜最可行的途径。     

Effects of Implant Copper Layer on Diamond Film Deposition on Cemented Carbides

1. IntroductionDiamond films are expected to extend significajntlythe lifetime of cemented carbide tools for workingnonferrous materials. However, the deposition of diamond films on cemented carbides is strongly hiredered by the catalytic effect of cobalt under typicaldeposition conditions [l,2]. Decreasing Co contenton the surface of the cemented carbide is a methodoften used to eliminate the influence of Co. But theCo leaching from the WC-Co substrate usually leadsto a mechanically weak s…