深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型.提出了一种基于L-M(Levenberg-Marquardt)算法的多目标响应全域优化提取策略,并对可靠性模型参数进行优化提取.分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法.最后,给出了最优化参数提取的结果,并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.     

催化与PV双功能中空纤维复合膜制备及其应用过程

以聚丙烯腈(PAN)中空纤维膜为支撑底膜,聚乙烯醇(PVA)为渗透汽化(PV)层,全氟磺酸树脂(PFSA)-聚乙烯醇(PVA) -纳米材料(SiO2、Al2O3和TiO2)为催化层,制备了具有催化和PV双功能的PFSA- PVA- SiO2 (Al2O3和TiO2 )/PVA/ PAN中空纤维复合膜.以乙酸-乙醇酯化反...     

热空穴应力下LDD nMOSFET中GIDL电流退化特性研究*

本文通过GIDL电流参数IDIFF对空穴应力下LDD nMOSFET中的GIDL电流退化进行了深入研究。IDIFF是在相同VDG下漏电压VD=1.4V和栅电压VG=-1.4V两种情形下的GIDL电流之差。空穴陷落在栅漏交叠区的氧化层中导致GIDL电流退化。这些陷落的空穴减小了上述两种对称的测试情形下的横向电场差ΔEX从而使得IDIFF表小。从GIDL电流中提取的IDIFF随着应力时间t的增加而减小。IDIFF的退化量ΔIDIFF,MAX与应力时间成幂指数关系：ΔIDIFF,MAX∝tm, m=0.3. 并用热电子应力实验验证了HHS实验中的相关物理机理。     

你会使用液化石油气吗?

眼下随着人民生活水平的提高,液化石油气的使用必将出现高峰。如何正确使用液化石油气,成为关系到人民生命安危的一件大事。液化石油气主要成分是丙烷(C_3H_8)、丙烯(C_3H_6)、丁烷(C_4H_1O)、丁烯(C_4H_8)。它在一定压力条件下变成液体,如果释去压力便转化成气体。1升液化石油气能挥发成约250升蒸气.如果在空气中达到爆炸极限范围内,只要拉一下电器开关,划一下火柴或遇其他明火,即刻便会引起燃烧爆炸,其爆速为2000～3000米/秒,火焰温度高达2000℃。不难看出,液化石油气的使用是极其危险的。我们在生活与工作中积     

主流ASIC设计流程

本文介绍目前流行的深亚微米主流ASIC设计流程．设计方法及相关流行的EDA工具轶件，着重讨论超大规模深亚微米ASIC设计过程中相关的仿真接术(Simulation)。逻辑综合（Logic Synthesis)，静态对序(Static Timing)分析和自动测试(Auto Test)技术。     

电视发射天馈线系统的维护

天馈线系统的性能好坏直接影响电视发射机的工作状态和电视发送的距离及效果。本文对天馈线系统的维护进行了总结。     

^（60）Co γ-rays irradiation effect in DC performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Unpassivated/passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） were exposed to 1.25 MeV 60Co γ-rays at a dose of 1 Mrad（Si）. The saturation drain current of the unpassivated devices decreased by 15% at 1 Mrad γ-dose, and the maximal transconductance decreased by 9.1% under the same condition; more- over, either forward or reverse gate bias current was significantly increased, while the threshold voltage is relatively unaffected. By sharp contrast, the passivated devices showed scarcely any change in saturation drain current and maximal transconductance at the same γ dose. Based on the differences between the passivated HEMTs and un- passivated HEMTs, adding the C–V measurement results, the obviously parameter degradation of the unpassivated AlGaN/GaN HEMTs is believed to be caused by the creation of electronegative surface state charges in sourcegate spacer and gate–drain spacer at the low dose （1 Mrad）. These results reveal that the passivation is effective in reducing the effects of surface state charges induced by the 60Co γ-rays irradiation, so the passivation is an effective reinforced approach.     

壳聚糖-聚乙烯醇/聚丙烯腈复合膜分离乙酸乙酯-乙醇-水的性能

制备了壳聚糖-聚乙烯醇/聚丙烯腈(CS-PVA/PAN)复合膜,用于乙酸乙酯-乙醇-水三组分溶液的分离。考察了CS-PVA/PAN复合膜的溶胀性、CS含量与料液温度对CS-PVA/PAN复合膜渗透汽化性能的影响;用傅里叶变换红外光谱对CS,PVA,CS-PVA均质膜进行了表征。实验结果表明,在料液温度313.15K、CS-PVA/PAN复合膜中w(CS)=50%时,CS-PVA/PAN复合膜能有效地脱除乙酸乙酯(质量分数84.6%)-乙醇(质量分数3.4%)-水(质量分数12.0%)三组分溶液中的水分,渗透通量为183g/(m2.h),分离因子为4 160;且随料液温度的升高,渗透通量增大,分离因子减小,渗透通量和料液温度能较好地符合Arrhenius方程。     

我国"十一五"期间西电东送电网建设拉开序幕

总投资约20亿元的500kV天广四回交流输变电工程于2004年7月29日正式开工建设。这标志着“十一五”期间(2006年至2010年)西电新增向广东送电10.30GW的电网建设项目提前启动。天广四回交流输变电工程西起云南省罗平,东至广东茂名,线路全长879km,联结罗平、百色、南宁、玉林、茂名五个变电站,跨越云南、广西、广东三省(区),计划2005年6月底前建成投产。工程投产后,将增加云南电力的送出能力1.20GW,对解决广东2005年的夏季高峰用电具有重要意义。     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.