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虽然Goodman单元广泛运用于接触面的模拟,但是其法向连杆刚度构造特征使其存在着接触面两侧单元相互嵌入和法向应力计算偏差两大缺陷。通过对Goodman接触面单元在受压时法向应力偏差和接触面相互嵌入这两个缺陷进行分析和修正,提出了改进Goodman单元接触面的方法:单元厚度为s,当受压法向位移小于s时采用弹簧连接,大于s时采用刚性连杆连接。利用改进Goodman单元来模拟接触面,对采用低弹模混凝土防渗墙的某土石坝进行了数值计算分析,同时分析了弹性模量对坝体混凝土防渗墙应力变形的影响。 相似文献
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正AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses were developed.The 0.2μm recess lengths were shrunk from the 0.6μm designed gate footprint length after isotropic SiN deposition and anisotropic recessed gate dry etching.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses on sapphire substrates exhibited a current gain cutoff frequency f_t of 35 GHz and a maximum frequency of oscillation f_(max) of 60 GHz.At 10 GHz frequency and 20 V drain bias,the V-gate recess devices exhibited an output power density of 4.44 W/mm with the associated power added efficiency as high as 49%. 相似文献
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本文提出一种沟道长度为0.125 μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构.在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析.模拟结果表明,相对于体Si CMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成. 相似文献
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针对化工行业上下游产品关联大、规格多、市场需求变化规律性不明显的特点,提出了一种基于多指标与卷积神经网络(CNN)相结合的产品需求预测框架。首先,利用变异系数法,计算出每种产品的加权变异系数,对需求产品进行初步划分。然后,利用帕累托分类法,将产品以需求量为基准进行A/B分类,从而得到4种不同类别的产品划分:高需求量高不确定性、高需求量低不确定性、低需求量高不确定性、低需求量低不确定性。由于统计预测方法对高波动性时序数据的预测效果较差,因此对4种类别产品分别构建基于细颗粒度时序的CNN模型,并进行预测。对某化工企业的有机硅与农化7大类共202种具体产品牌号历史订单量进行测试建模,并与自回归滑动平均(ARMA)、乘法分解预测以及同类型的4种不同结构的CNN模型进行对比。对比结果表明,长输入多卷积常池化神经网络(LMN-CNN)模型在大类产品的平均预测精度为89.22%,明显高于传统的时间序列预测模型,且优于不同类型的CNN。该结果验证了LMN-CNN模型的有效性。 相似文献
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