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221.
通过液相共沉淀法制备了石墨烯/镍掺杂二氧化锰(MnO2)复合材料。用XRD、SEM分析复合材料的微观结构和表面形貌,用恒流充放电、循环伏安及交流阻抗研究复合材料的电化学性能。镍掺杂的Mn O2为α-MnO2,粒径约为50 nm。复合材料具有良好的电化学性能,在电解液2 mol/L KOH中0.5 A/g、-0.2~0.8 V时的比电容达到319 F/g,循环伏安测试结果表明,电化学可逆性较好。  相似文献   
222.
虽然Goodman单元广泛运用于接触面的模拟,但是其法向连杆刚度构造特征使其存在着接触面两侧单元相互嵌入和法向应力计算偏差两大缺陷。通过对Goodman接触面单元在受压时法向应力偏差和接触面相互嵌入这两个缺陷进行分析和修正,提出了改进Goodman单元接触面的方法:单元厚度为s,当受压法向位移小于s时采用弹簧连接,大于s时采用刚性连杆连接。利用改进Goodman单元来模拟接触面,对采用低弹模混凝土防渗墙的某土石坝进行了数值计算分析,同时分析了弹性模量对坝体混凝土防渗墙应力变形的影响。  相似文献   
223.
正AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses were developed.The 0.2μm recess lengths were shrunk from the 0.6μm designed gate footprint length after isotropic SiN deposition and anisotropic recessed gate dry etching.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses on sapphire substrates exhibited a current gain cutoff frequency f_t of 35 GHz and a maximum frequency of oscillation f_(max) of 60 GHz.At 10 GHz frequency and 20 V drain bias,the V-gate recess devices exhibited an output power density of 4.44 W/mm with the associated power added efficiency as high as 49%.  相似文献   
224.
本文建立了泰勒—库特反应器流场的CFD模型,模拟研究了反应器内筒不同转速下,环隙流场结构的演变。结果显示,当转速为0.274 rad/s,环隙流场为库特泊肃叶流;当转速从0.315 rad/s升高至0.684 rad/s时,环隙流场从层流泰勒涡流转变为波流泰勒涡流。本文研究为泰勒—库特反应器在不同领域的应用奠定了流体力学基础。  相似文献   
225.
本文提出一种沟道长度为0.125 μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构.在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析.模拟结果表明,相对于体Si CMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成.  相似文献   
226.
针对化工行业上下游产品关联大、规格多、市场需求变化规律性不明显的特点,提出了一种基于多指标与卷积神经网络(CNN)相结合的产品需求预测框架。首先,利用变异系数法,计算出每种产品的加权变异系数,对需求产品进行初步划分。然后,利用帕累托分类法,将产品以需求量为基准进行A/B分类,从而得到4种不同类别的产品划分:高需求量高不确定性、高需求量低不确定性、低需求量高不确定性、低需求量低不确定性。由于统计预测方法对高波动性时序数据的预测效果较差,因此对4种类别产品分别构建基于细颗粒度时序的CNN模型,并进行预测。对某化工企业的有机硅与农化7大类共202种具体产品牌号历史订单量进行测试建模,并与自回归滑动平均(ARMA)、乘法分解预测以及同类型的4种不同结构的CNN模型进行对比。对比结果表明,长输入多卷积常池化神经网络(LMN-CNN)模型在大类产品的平均预测精度为89.22%,明显高于传统的时间序列预测模型,且优于不同类型的CNN。该结果验证了LMN-CNN模型的有效性。  相似文献   
227.
通过试验,给出变压器铁心多点接地故障的分析判断与处理方法。  相似文献   
228.
曹艳荣  马晓华  郝跃  于磊 《半导体学报》2006,27(11):1994-1999
采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.  相似文献   
229.
二甲苯作为耐过充添加剂加入锂离子电池电解液中,实验发现,当电压为4.5 V(相对于Li/Li+)时,二甲苯开始在正极发生反应.并扩散在正极与隔膜之间.生成的物质阻止了Li+的传递,从而实现了过充电保护.  相似文献   
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