氮化镓HEMT器件辐射效应综述

在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述。     

如何实现广播电视信息安全传输

对于电视发射台来说,安全播出不仅是每个广电人的职责和义务,也是广播电视的生命和根本要求,更是广电部门的重要政治使命。广播电视传输覆盖网是国家信息化建设的重要组成部分,也是广播电视宣传工作的重要组成部分,是广播电视节目传输的重要技术手段,保证广播电视节目信号源不间断是电视发射台安全播出的前提条件。由此可以看出,保证广播电视节目信号源不间断。     

异型轴承零件及凸缘平面的磨削方法

介绍了用轴承外圈沟道磨床磨削外径上的特殊形面及凸缘平面的一种工艺方法,从异形轴承凸缘平面的结构,轴承外圈沟道磨床加工范围、磨削原理、几何精度、进给、砂轮尺寸的选择等方面分析和验证了该工艺方法的可行性和实用性。     

温度陡升下硅橡胶材料电热裂解的反应力场模拟

运行中的复合绝缘子出现闪络等事故时伴随有温度陡升现象，加之电场的协同作用，使得复合绝缘子用硅橡胶材料迅速裂解破坏。通过建立硅橡胶分子模型，基于反应力场模拟探究温度陡升下材料的电热裂解机理与特性，以期弥补宏观试验的部分局限性。结果表明：温度和电场对裂解的作用机制不同，温度占主导，电场能降低裂解温度，加速材料劣化；裂解过程由Si-C键的断裂引发，CH₄、H₂、C₂H₄、C₂H₂、H₂O为不同裂解阶段的主要产物；随着硅橡胶主链上甲基大量脱落，Si-CH₃键数量下降约40%，主链结构进一步破坏形成交联结构，Si-O-Si键与Si-C键数量比及碳氢比持续升高，最大分别为裂解前的2.93倍和1.87倍；以H₂为主的杂质气体产物扩散聚集，材料内产生空隙，结构发生重组，最终导致绝缘失效。     

6-18GHz超宽带功率放大器脊波导合成技术研究北大核心

介绍了一种6-18 GHz超宽带脊波导合成结构。该脊波导合成结构包括微带到脊波导的过渡结构、E面T型脊波导合成结构和H面T型脊波导合成结构。基于该脊波导合成结构,采用8只GaN MMIC功率芯片,设计了一款超宽带固态合成功率放大器,测试结果表明在6~18 GHz的频带内,固体合成功率放大器连续波输出功率达90 W以上,合成效率大于90%,功率附加效率大于15%。     

尿素装置控制系统改造

介绍了渭化尿素装置控制系统的组成、控制系统的改造方案、控制系统的配置及实施情况。尿素装置控制系统改造投入使用后,各方面运行良好。论述了以后实施进一步改造的设想。     

GIDL应力下超薄栅氧LDD NMOS器件退化

The degradation of device under GIDL （gate-induced drain leakage current） stress has been studied using LDD NMOSFETs with 1.4 nm gate oxides. Experimental result shows that the degradation of device parameters depends more strongly on Vd than on Vg. The characteristics of the GIDL current are used to analyze the damage generated during the stress. It is clearly found that the change of GIDL current before and after stress can be divided into two stages. The trapping of holes in the oxide is dominant in the first stage, but that of electrons in the oxide is dominant in the second stage. It is due to the common effects of edge direct tunneling and band-to-band tunneling. SILC（stress induced leakage current）in the NMOSFET decreases with increasing stress time under GIDL stress. The degradation characteristic of SILC also shows saturating time dependence. SILC is strongly dependent on the measured gate voltage. The higher the measured gate voltage, the less serious the degradation of the gate current. A likely mechanism is presented to explain the origin of SILC during GIDL stress.     

F注入AlGaN/GaN增强型HEMT

The fabrication of enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs by fluorine plasma treatment on sapphire substrates is reported. A new method is used to fabricate devices with different fluorine plasma RF power treatments on one wafer to avoid differences between different wafers. The plasma-treated gate regions of devices treated with different fluorine plasma RF powers were separately opened by a step-and-repeat system. The properties of these devices are compared and analyzed. The devices with 150 W fluorine plasma treatment power and with 0.6 μm gate-length exhibited a threshold voltage of 0.57 V, a maximum drain current of 501 mA/mm, a maximum transconductance of 210 mS/mm, a current gain cutoff frequency of 19.4 GHz and a maximum oscillation frequency of 26 GHz. An excessive fluorine plasma treatment power of 250 W results in a small maximum drain current, which can be attributed to the implantation of fluorine plasma in the channel.     

一种新的兼容栅偏源结构AlGaN/GaN HEMT的小信号模型

本文提出了一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型,此模型可在20GHz以内对栅偏源结构HEMT进行精确模拟。模型中的寄生参数由零偏及截止两种偏置下的S参数来决定,本征部分采用直接提取的方式得出。本模型中的所有参数及比例系数均由器件结构决定,并不涉及任何优化算法,因而保证了模型参数值与物理意义的统一。     

猝死轴承试验的蒙特卡洛模拟(续前)

3结果与讨论 试验永远不会被淘汰。在合理性和经济性方面，物理试验也是一种可选择的方法。猝死试验被认为是一种有潜力减少试验时间和经费的试验方法。与将全部轴承试验至失效的方法相比，猝死试验最大的争议是试验较大的样本且只让一小部分的试样失效是否具有优势。用物理试验无法验证这一点，因为物理试验和／或是经济条件受限制。以已知Weibull分布为基础，蒙特卡洛模拟法作为一种能得到的合理设计极限的方法进行说明。综合这些方法有潜力得到更进一步的试验数据，这些数据通过其他试验方法来得到是不太切合实际的或者是不太可能的。