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1 IntroductionPoorsurface relatedpropertiessuchastribologicalpropertyhaverestrictedthefur therapplicationsofTi 6Al 4Valloyusedinaviationandspacetechnologyforstruc turalpartsandinmedicaltechnologyfortotaljointreplacementsduetoitsuniquecombinationofdesirab… 相似文献
42.
采用非平衡磁控溅射方法在AZ31镁合金表面沉积Mg-Cu-Y薄膜,以纯铜和Mg65Cu25Y10合金作为溅射靶材,选则Mg65Cu25Y10单靶、Mg65Cu25Y10靶和铜靶双靶两种方式分别进行溅射沉积。利用XRD、AFM、SEM分析了膜层结构与表面形貌,纳米压痕法、球盘式摩擦磨损测试研究了膜层的硬度和耐磨性。结果表明,Mg65Cu25Y10单靶溅射得到的薄膜为完全非晶态结构,而双靶共溅获得的膜层中出现含有铜的晶态组织。随着膜层中Cu含量的增加,纳米硬度较非晶态膜层有所降低,但同时耐磨性提高。两类不同结构薄膜相比较,Mg65Cu25Y10单靶溅射沉积的非晶膜层硬度最高,达到12GPa。用磨损量评价了基体与膜层的耐磨性,包含Cu结晶相的双靶共溅薄膜具有较好的耐磨性能。 相似文献
43.
介绍了一种新型无辅助阳极式磁过滤器的基本结构 ,测量了在弯曲弧磁过滤器出口处的离子分布规律。SEM分析表明 ,无辅助阳极式弯曲弧磁过滤器消除了等离子体中的宏观粒子团。采用无辅助阳极式弯曲弧磁过滤器在玻璃基体上镀铜可以使表面粗糙度Ra 从 0 44 μm降低到 0 0 0 3μm。 相似文献
44.
45.
46.
The La-Sr-Mn-O films were deposited on Si(100) substrates by DC magnetron sputtering and followed by air annealing at 973 K for 1 h.The microstructure and temperature dependence of total hemispherical emittance ( H) of the annealed La-Sr-Mn-O films prepared at various processing parameters were investigated.The results indicated the films deposited at lower sputtering pressure and lower O2/(O2+Ar) volume proportion (RO) were present in rhombohedral perovskite structure and the length of Mn-O bond was shorter.The metal-insulator transition temperature (TMI) was higher.All of the annealed films showed the unique feature of variable emittance based on metal-insulator transition.The films showed low emittance at low temperature but high emittance at high temperature.Moreover,the H significantly changed in the vicinity of TMI.The variability of total hemispherical emittance (Δε) and the temperature range with obvious emittance change could be adjusted by changing the processing parameters.The Δεcould be 0.45 andΔε/ε355 ( 355 is the εH at 355K) exceeded 50% for the annealed La-Sr-Mn-O films.Therefore,the annealed La-Sr-Mn-O films showed much potential for thermal control applications as smart thermochro-mic variable emittance materials. 相似文献
47.
1 INTRODUCTIONApartfromtheconventionalionimplantationtechnique,thespecimenswithacomplexgeometrycanbeimplanteddirectlyatallorientationsbythePBIImethod ,sothePBIImethodownsawiderfore groundinindustryapplications[1].TheAlN precipitatesmayforminthesurfacelaye… 相似文献
48.
49.
50.
等离子体基离子注入制备TiN膜的成分结构 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Ti、N等离子体基离子注入和先在基体表面沉积纯钛层然后离子注氮混合两种方法在铝合金基体上制备了TiN膜.利用XPS分析了两种方法制备TiN薄膜的成分深度分布和元素化学价态,并用力学性能显微探针测试对比了TiN膜的纳米硬度.研究表明:两种方法制备的薄膜均由TiN组成,Ti、N等离子体基离子注入薄膜中Ti/N≈1.1,而离子注入混合薄膜中Ti/N≈1.3,Ti、N等离子体基离子注入薄膜表面区域为TiN和TiO2的混合组织,TiN含量多于TiO2,离子注入混合薄膜表面主要是TiO2;Ti、N等离子体基离子注入所制备的薄膜的纳米硬度峰值为12.26 GPa,高于离子注入混合的7.98 GPa. 相似文献