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实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体 总被引:3,自引:0,他引:3
用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制,测量精度±0.03g KDP/100g H2O(±0.10%相对过饱和度),控制精度与测量精度相当.过饱和度实时控制系统提供了一种方法,可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时,过饱和度与晶体生长和性能的关系.用分析纯原料生长KDP晶体,发现随着过饱和度的增大,晶体的生长速度加快,晶体的均匀性降低.过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长,提高了晶体生长的均匀性,抑制了生长层和散射颗粒的产生,有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值. 相似文献