机械球磨制备纳米WO3粉末的研究

采用机械球磨湿法工艺制备了纳米级WO3粉末.研究了球磨时间、球料比、固液比等球磨参数对粉末粒度的影响:球磨时间和球料比对粉末粒度影响很大,但过久延长球磨时间或增大球料比并不能起到进一步细化的作用,反而会增加WC杂质的引入量;过高或过低的固液比都不利于WO3粉末的细化.为得到纳米级且纯度较高的WO3粉末,降低WC的含量,经反复实验得到最佳工艺条件为:球料比1:1,固液比1:0.5,球磨时间48 h.     

PICC并发导管堵塞的原因分析及防治措施

目的:分析PICC并发导管堵塞的原因,总结有效的防治措施.方法:对37例导管堵塞患者的临床资料进行回顾性分析.结果:PICC导管堵塞37例,其中部分阻塞31例,完全阻塞6例,给予处理后34例再通,3例拔除PICC导管.结论:加强患者置管期间导管的维护及健康教育,并及时发现和处理,能有效降低PICC导管堵塞的发生率.     

多维数据分析法同时测定伏安峰严重重叠的有机污染物

设计了一种正交信号校正(OSC)-小波包变换(WPT)-偏最小二乘法(PLS)的多维数据分析方法,该方法结合微分脉冲伏安技术可对不经化学分离同时伏安峰严重重叠的2,5-二硝基酚、间硝基酚和对硝基酚的混合物进行同时测定。该方法利用OSC有效除去与浓度无关的结构噪音,又利用WPT改善了除噪和特征信息提取能力,从而提高了PLS的预测能力。根据OSC,WPT,PLS的算法原理编制了名为POSCWPTPLS,PWPTPLS,PPLS的程序来执行相关的计算。OSC-WPT-PLS,WPT-PLS,PLS法的测定结果表明,3种化合物的总相对预测标准偏差分别为3.76%,7.39%,7.98%,OSC-WPT-PLS法的结果优于WPT-PLS法和PLS法。     

微量La改善GH141超合金热塑性的数字X射线图像分析

采用分析电镜及PV9201区域作图功能,检测镍基GH141高温合金加入La后的组织特征和La的分布,取得了满意的结果。对于阐明微量La显著改善合金的热塑性,提供了可信的根据。同时,通过该项实验,也充分显示了数字X射线图像的优越性。观察发现,本合金由于添加微量La元素,组织中多出现具有核心的物相结构。经鉴定,核心部份为La-O或La-O-S化合物,其周围包以MC型一次碳化物。此种结构的形成,分散并球化了原来粗大的长片状碳化物。这是合金热塑性得以提高的主要机理。     

食品从业人员中单项核心抗体阳性者传染性的探讨

为探讨食品从业人员中单项抗—HB_c 的感染性和传染性,给预防性体检工作提供可靠数据,我们对我区从事食品经营人员进行单抗—HB_c 的调查,并选用了国内最先进及敏感的方法—HBVDWA 聚合酶链反应试验及生物素标记 HBVDWA 探针斑点杂交试验测定了单项抗—HB_c 血清中 HBVDWA的存在。     

快速评价微杜瓦真空寿命及应用北大核心CSCD

微杜瓦内置吸气剂是一项关键技术,使红外微杜瓦内部长期维持高真空状态,保证红外探测器组件全寿命周期内可靠工作。采用传统方法预测微杜瓦真空寿命不仅耗时,而且难以及时指导微杜瓦设计和技术改进。通过分离影响杜瓦真空寿命的核心因素:贮存温度和吸气剂用量,采用单因素实验的方法评价微杜瓦真空寿命,实现真空寿命的快速评价。结合内置吸气剂的杜瓦高温贮存实验,预估室温下真空寿命。另外,采用杜瓦内置真空规技术,极大地缩短了内置吸气剂杜瓦的高温贮存试验时间,为微杜瓦的吸气剂用量配置和技术改进提供及时的信息资源。     

4种金属卟啉配合物与血清白蛋白作用的光谱研究

应用荧光光谱法研究了4种金属卟啉配合物5-(4-羧基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉锌、钴、镍、锰(MCPPZn、MCPP-Co、MCPPNi、MCPPMnCl)与牛血清白蛋白(BSA)的结合反应。探讨了金属卟啉配合物对BSA内源荧光的猝灭机理,根据不同温度下的结合常数判断金属卟啉配合物与BSA之间具有较强的结合作用,对BSA内源荧光的猝灭过程为静态猝灭。根据热力学参数确定了MCPPZn与BSA之间的作用力以静电引力为主,MCPPCo(25和42℃下)、MCPPNi、MCP-PMnCl与BSA之间的作用力以氢键和范德华力为主。分析了结合常数和作用力类型的差异主要是由中心金属离子的电负性和外层d轨道上的电子数的不同而引起的。     

UASB预处理稀土废水

UASB反应器预处理高浓度NH4+-N废水,采用较低的C/N,降低后续处理的NH4+-N负荷.在反应器内部进行短程硝化与反硝化,经过75 d的实验得出,反应器内的最佳控制条件:温度20～30℃,pH值7.0～8.0,C/N3.5～4.5.NH4+-N浓度在500 mg/L左右,去除率达到40%,并且反应器运行稳定,可以作为对高浓度NH4+-N废水的预处理.     

磨加工及残余应力对氮化硅陶瓷强度的影响

利用X-射线衍射方法测量了经不同磨削的氮化硅陶瓷表面残余应力及其对抗弯强度的影响。结果表明，磨削工艺所引入的残余应力是拉应力，对陶瓷抗弯强度有显著降低。     

Nb2O5掺杂ZnO超高致密度陶瓷靶材的制备

采用传统的固相烧结技术制备了Nb2 O5掺杂ZnO陶瓷靶材,研究了不同烧结温度、Nb2 O5掺杂量对NZO靶材的电学性能、相对密度、抗弯强度的影响.结果表明:当烧结温度1200℃,Nb2 O5的掺杂量为0.4wt%时,其综合性能最佳,此时靶材电阻率为0.189Ω·cm,相对密度为99.46%,抗弯强度141.74 MPa.