电除尘器取代旋风除尘器的效益分析

简要地叙述了原煤及粉煤灰的特性, 介绍改造后的电除尘器的主要技术参数, 强调了在改造方案中采用钢性结构、宽间距、分小区供电等一系列措施。更新后的高压静电除尘器, 经市环保局监测验收, 除尘效率由７５．１ ％ 提高到９８．９３ ％ , 每年可减少向大气排放烟尘５．９６ ｋｔ、节约用电３５０ ＭＷ·ｈ 、可多发电７２０ ＭＷ·ｈ , 取得了较好的环境效益和经济效益。     

粘弹性高温阻尼材料的研究

彩和熔融共混工艺,将橡胶与塑料并用,制得阻尼性能优良的粘弹性高温阻尼材料,探讨了橡胶与塑配比,白炭黑和片状云母粉对材料动态力学性能及热性能的影响。     

高速刮擦条件下封严涂层热物性对叶片损伤行为的影响

利用自制的高速刮擦试验机,对常见的铝、镍基封严涂层与TC4钛合叶片组成的封严摩擦副在高速刮擦条件下的摩擦学行为进行了研究。结果显示,铝基封严涂层对于叶片磨损轻微,甚至出现涂层粘着叶片的现象;镍基封严涂层严重的损伤叶片。通过分析刮擦面温度与力学性能变化间关系,发现封严涂层的热物性能对叶片的损伤具有重要的影响。若封严涂层的金属相熔点较低、热扩散率较大如铝基封严涂层,则配副使用时涂层易先于叶片发生软化,因而叶片磨损轻微,甚至被涂层粘附所代替。若封严涂层的金属相熔点较高、热扩散率较低如镍基封严涂层,则叶片易先于涂层发生软化,因而叶片损伤严重。     

外加电位对Monel400合金海水环境腐蚀磨损性能的影响

目的研究不同恒电位对Monel400合金海水环境腐蚀磨损性能的影响。方法将试样加工成圆柱试样,通过设计的特殊夹具夹紧试样,利用摩擦试验机和电化学工作站做不同恒电位下的磨蚀实验,通过开路电位极化曲线的变化评价合金的电化学性能,通过磨损量的变化评价合金的摩擦性能。通过扫描电镜揭示磨损机理,探讨交互作用机制。结果摩擦过程中的开路电位比静态腐蚀时的低。随着外加电位的增加,腐蚀电流密度增加,摩擦系数降低,总的体积损失量增加。腐蚀磨损存在明显的交互作用。结论摩擦能够破坏合金表面的钝化膜,导致具有更高电化学活性的新表面暴露于溶液中,因此促进了表面腐蚀。而腐蚀产生的腐蚀产物层比较粗糙和疏松,其剪切强度比基底合金低得多,因此当氧化铝块摩擦过合金表面时,很容易去除腐蚀产物层,进而促进了材料损失。腐蚀磨损条件下材料的损失量明显比纯磨损条件下的高。     

Al_2O_3陶瓷激光切割工艺研究

为了探究Al_2O_3陶瓷的激光切割工艺特性,采用Nd:YAG激光器对Al_2O_3陶瓷进行加工试验。先通过打孔试验计算获得Al_2O_3陶瓷的激光烧蚀阈值,再通过切割试验分析激光功率、切割速度、脉冲频率、离焦量等工艺参数对切割质量的影响规律。结果表明:通过优化激光切割工艺参数,可在保证切割效率的同时,提高Al_2O_3陶瓷的切割质量。     

Cu-20Ni-20Mn合金连续/不连续时效析出及其相互作用研究

通过扫描电镜、透射电镜和小角散射研究了Cu-20Ni-20Mn合金在573~698 K温度下的时效析出行为,确定不连续析出和连续析出之间的相互作用。结果表明:当时效温度低于623 K,沉淀相析出主要以不连续析出为主导。时效温度大于673 K时,沉淀相析出则主要由连续析出和不连续析出共同控制。时效过程中,沉淀相优先在晶界形核长大,形成由Ni Mn相和贫溶质原子基体组成的片层状不连续析出胞状组织。然而连续析出沉淀相的存在会抑制不连续胞状组织的长大,当沉淀相直径约大于5 nm时,将能有效阻碍不连续析出胞状组织界面前沿的迁移。利用Aaronson-Liu模型估算出不连续析出的晶界化学扩散混合积sδDb,进一步通过Arrhenius方程分析得出不连续析出胞状组织的激活能为77.3~110.9 kJ/mol。界面激活能要远低于Ni、Mn元素在Cu中扩散所需的激活能,表明沉淀相易于在晶界处形核析出。     

厚板轧机万向节疲劳破坏分析

针对某厂5000 mm厚板轧机主传动系统的十字节多次发生断裂事故的问题,根据实测数据进行了疲劳强度分析计算,并对十字叉头进行了有限元动力学仿真,发现轧机主传动系统扭矩波动较大,并出现了单辊拖动现象,因此应消除单辊拖动,同时对十字节叉头进行材料强化处理。     

模具加工程序清单的自动化与网络化后处理

分析了模具数控编程特点和现状,阐述了建立模具加工经验数据库的方法,论述了基于UGOPEN/API和经验数据库CNC加工程序清单的自动生成方法和CNC程序网络化后处理的方法,该方法可自动获取相关的刀具参数、切削参数和加工余量,自动生成标准的CNC加工程序清单,所有CNC刀路的后处理自动在网络服务器中完成。     

导管数控弯曲自动编程技术研究与系统开发

数控弯管加工是实现导管数字化集成制造的关键环节,数控编程是进行数控弯管的前提。在研究基于导管三维模型的零件信息提取、数控加工参数计算与补偿和数控编程等技术基础上,自行开发面向不同数控系统的导管数控弯曲自动编程系统,并在某新卫星的导管生产中得到了应用。     

Al-Mg-Si合金中U1和U2相的原子成键与性能

应用EET理论和改进的TFD理论对Al-Mg-Si合金时效过程中析出的U1与U2相的原子成键和结合能进行计算。结果表明:两相晶胞中最强键和次强键都是Al—Si键,其键络比基体Al晶胞中的最强键络都强得多;两析出相晶胞中都以较强的Al—Si键构成主要键络骨架结构,起到增强基体键络强度、强化合金的作用。由于析出相U1比析出相U2具有更强的Al—Si键络结构,且结合能较大,因此,相对U2相来说,U1相更稳定。计算结果还表明:(001)Al//(110)U1相界面处电荷保持连续且连续性较好,界面应变能较低,界面较稳定;界面(001)Al//(010)U2处的面电荷密度偏离连续条件,因此在此界面处,应力较大,界面原子键匹配较差,界面储能(应变能)较高,容易成为新相形核、长大和裂纹萌生的地方。