维改行业展 首次亮京城

2003年北京的冬天比往年早。11月初那场中雪,一夜之间使北京披上了银色外衣。清新的空气、蓝蓝的天,还有托着白雪的红红枫叶,这两天的北京美极了。     

纳米级β—Hi（OH）2的制备和放电性能

本文采用均相沉淀法和无水惭醇溶剂法制备出了纳米级β－Ｈｉ（ＯＨ）２。运用ＸＲＤ、ＴＧ、ＤＴＡ、ＴＥＭ及ＩＣＰ测试对制备的样品作了分析研究。制备过程中表面活性剂、转型条件及后处理温度的选择对样品性质影响很大，对纳米β－Ｈｉ（ＯＨ）２进行了充放电实验研究。     

装备企业需要提高自己的服务水平——访富奥汽车零部件有限公司采购管理部杨瑞海部长

富奥汽车零部件有限公司是中国第一汽车集团公司的全资子公司，下辖9家全资分（子）公司和19家中外合资公司。固定资产55亿元，各种设备8028台套，是我国大型的汽车零部件企业。     

百年斗山 赋予大宇机床更美好的未来——SIMTOS2006访斗山英维高株式会社副社长金雄范

2006年的第十二届首尔国际机床展览会(SIMTOS2006)于4月12～17日在韩国首尔举行。在素有“工程技术创新生产的风向标”美誉的本届展会上,斗山英维高株式会社以250个展位成为本次参展面积最大的展商,而且在参展的30个机种中,新研制的产品有12种,包括复合加工机和高速加工中心6台,由此向大家呈现了其不容置疑的实力。其实,斗山英维高株式会社就是2005年4月29日更名后的、原先一直被中国用户所熟知的大宇综合机械株式会社,而其展示的斗山机床也因源自大宇和百年斗山的双重优势再次受到记者的关注。大宇,曾经中国市场上韩国机床的代表近几年…     

γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

研究了射线辐照对130 nm部分耗尽（Partially Depleted,PD）绝缘体上硅（Silicon on Insulator,SOI）工艺MOS器件栅氧经时击穿（Time-Dependent Dielectric Breakdown,TDDB）寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄漏电流以及TDDB时间等电参数,分析了射线辐照对PD-SOI MOS器件TDDB可靠性的影响。结果表明:由于射线辐照在栅极氧化层中产生了带正电的氧化物陷阱电荷,影响了器件内部势垒的分布,降低了电子跃迁的势垒高度,导致了电子遂穿的正反馈作用增强,从而缩短了器件栅氧化层经时击穿时间,最终造成器件栅极氧化层的可靠性下降。     

总剂量辐照对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响

为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65 nm 体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流子效应受辐射的影响越显著,总剂量辐射后热载流子效应对器件的损伤增强。分析认为,辐射在STI中引入的陷阱电荷是导致以上现象的主要原因。该研究结果为辐射环境下器件的可靠性评估提供了依据。     

选择正确 选择哈挺

2005年10月27日在纽约州埃尔玛拉市，硬车专家哈挺公司发布了一项革命性的新技术，该项技术可以简化费用高昂的制造过程，从而在更多种类的工业零件加工过程中引入硬车技术及其带来的好处。新的轮廓适应弹簧夹头（SCC）结合了公司高刚性机床在加工应用中的专业技术和工件夹紧解决方案，使得棒料的硬车加工能力上了一个新的台阶。[编者按]     

伊斯卡，当之无愧的刀具专家——访伊斯卡刀具国际贸易（上海）有限公司总经理李玉圃先生

伊斯卡公司是20世纪90年代初进入中国。10多年来，李玉圃先生参与并主持了伊斯卡产品进入中国，建立伊斯卡刀具国际贸易(上海)有限公司。