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91.
UWB无线通信性能分析与研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对PPM调制的跳时超宽带(TH-UWB)系统性能进行了研究,详细分析了其系统构成及系统性能,并对整个分析结合M atlab仿真工具进行了计算机仿真,验证了重复编码和不同判决方式对系统性能的影响。另外,还给出了采用M进制PPM调制和PAM调制的TH-UWB系统性能理论分析结果。  相似文献   
92.
造型与色彩,记载了人类文明发展过程中对世界的认识和理解,不同文化表现的艺术精粹体现了各民族的心理情感、风俗习惯、审美观念以及审美情趣,三大文化圈的历史脉络以及它们各自的基本特色、构成形态特色。构成了各自不同的文化特性和表现特征。  相似文献   
93.
介绍了工业设计与虚拟现实技术的概要知识.针对工业设计的传统设计流程,分析了虚拟现实技术在工业设计中的应用的可行性,得出了在现代工业设计中,虚拟现实技术能够有效提高设计效率和降低设计成本、加快信息反馈速度的结论.  相似文献   
94.
复合材料桩的承载特性研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
探讨了复合材料桩的成桩机理和施工方法.在工程试桩的基础上,建立复合材料桩承载性能的数学分析模型.利用实测试桩资料,通过数值分析,研究该类桩的承载机理和特性.在弹性条件下对混凝土芯复合材料桩进行受压性能分析,并在相同位移条件下将其与相同务件的水泥土搅拌桩进行对比.计算结果显示:复合材料桩的承载性能优良,对土体横向、纵向影响范围大,受力分布均匀,并具有刚性桩的受力特征.研究表明:复合材料桩承载力高、沉降量小、施工方便、造价低廉,在地基工程中具有广泛的应用价值.  相似文献   
95.
为揭示杂质离子在铜电结晶过程中的行为,提高电解铜的质量,模拟电解铜厂的生产条件,用XPS、XRD、SEM等仪器研究了电解液中As5+、Sb3+、Bi3+、Fe2+、Fe3+、Ni2+、Zn2+等杂质离子对铜沉积微观结构的影响.结果表明:当电流密度i≤220A/m2时,杂质离子不在阴极沉积,但抑制其他晶面的生长,使铜结晶的(220)晶面织构系数明显增大,晶胞尺寸变大,电结晶形态由脊状变为脊状混块状;当i>220A/m2时,杂质中砷离子与铋离子在阴极有少量沉积,沉积层中砷以As和As2O3形式并存,铋以Bi2O3形式存在,铜结晶的颗粒变粗;当电流密度增至800A/m2时,杂质离子会使铜结晶的晶面择优取向从(220)变为(111).  相似文献   
96.
基于DDS的有源相控阵天线   总被引:7,自引:0,他引:7  
有源相控阵天线不仅能提高通信系统的性能,而且还能扩充其功能,所以在通信领域的应用越来越广泛.本文介绍一种没有高频移相器的8单元有源相控阵天线系统,它由平面天线阵、数字T/R组件、接收DBF和系统控制分析软件等组成.其基本原理是在发射模式下,利用直接数字合成(DDS)代替传统的高频移相器和衰减器.由于DDS的工作频率比较低,需要通过上变频到系统所需要的工作频率(2.0GHz).在发射模式下,通过控制DDS完成发射波束形成所必需的幅度、相位加权和上变频所必需的本振信号;在接收模式下,则利用DDS技术产生接收信号下变频所必需的本振信号,然后采用DBF技术形成接收波束.文中详细介绍了基于DDS的有源相控阵天线的实现方法和实验结果.通过8单元基于DDS的有源相控阵天线系统的研究,证实了DDS技术在相控阵天线中应用的显著优点和相控阵天线在通信领域具有潜在应用市场.  相似文献   
97.
CAN总线在变电站高压开关柜在线检测系统中的应用   总被引:1,自引:1,他引:1  
针对我国变电站目前大多采用基于BITBUS总线和RS-485总线构建的监控网络系统所存在的缺点。介绍了一种利用CAN总线的高压开关柜在线检测系统,能更好地完善变电站监控系统的功能。提出了其主要硬件和软件的设计方案和实施并介绍了应用效果。  相似文献   
98.
研究了双马来酰亚胺树脂(BMI)在航空宇航工业中发挥其先进的聚合物基复合材料的作用,并发现BMI树脂的主要缺点是脆性大、固化温度和后处理温度高.综述了BMI研究现状和改性方法.详细介绍了各种BMI的增韧改性方法和增韧机理及最新研究进展.新的BMI改性方法和新型的改性剂将会随科技进步和工业发展的需要不断涌现,低成本和绿色成型技术将是未来BMI研究主要方向之一.  相似文献   
99.
文章介绍了XML Web Service与多层分布式系统的基本概念,分析了XML Web Service在分布式系统的作用及其结构,结合开发工具Visual Basic.Net给出开发基于XML Web Service的分布式系统的一般方法和步骤.  相似文献   
100.
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.  相似文献   
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