全文获取类型
收费全文 | 41篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 7篇 |
专业分类
电工技术 | 6篇 |
综合类 | 1篇 |
化学工业 | 13篇 |
金属工艺 | 2篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 5篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 2篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 6篇 |
一般工业技术 | 3篇 |
冶金工业 | 7篇 |
自动化技术 | 2篇 |
出版年
2022年 | 1篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2000年 | 3篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有53条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
用椭偏光谱法测量了 ( 35ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 )和 ( 65ke V,1 .0× 1 0 18cm- 2 ) C+ 注入 Si形成的 Si C/Si异质结构 .应用多层介质膜模型和有效介质近似 ,分析了这些样品的 Si C/Si异质结构的各层厚度及主要成份 .研究结果表明 :注 35ke V C+ 的样品在经 1 2 0 0℃、2 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其β- Si C埋层上存在一粗糙表面层 ,粗糙表面层主要由β- Si C、非晶 Si和 Si O2 组成 ,而且 β- Si C埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与 β- Si C埋层界面 ;注 65ke V C+的样品在经1 2 50℃、1 0 h退火后形成的 Si C/Si异质结构 ,其表层 Si是较 相似文献
52.
53.