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51.
弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为 总被引:2,自引:0,他引:2
在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂,对铜化学机械抛光技术(CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试,考察了铜在无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位(φE)和腐蚀电流密度(JC)的变化规律,比较了抛光前及抛光过程中铜极化曲线的变化。定性地通过成膜的快慢及抛光过程中腐蚀电流密度的大小来说明抛光速率的高低,证明了以弱碱性溶液为介质,铁氰化钾为成膜剂,纳米γ-Al2O3为磨粒的CMP配方的可行性。 相似文献
52.
53.
在恒定磁场(0.8T) 和无磁场环境下,采用化学氧化聚合法合成了分别用磺基水杨酸(SSA)、对甲基苯磺酸(TSA)以及用十二烷基苯磺钠/盐酸(SDBS HCl)掺杂的聚苯胺盐,并采用X射线光电子能谱(XPS)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、X粉末衍射(XRD),热重分析(TGA)等手段研究了磁场对聚苯胺结构、掺杂行为及热稳定性的影响.结果表明在合成聚苯胺的过程中,作为表面活性剂的十二烷基苯磺酸钠在无机酸存在条件下转变成十二烷基苯磺酸并与无机酸共同掺杂进入聚苯胺链;磁场环境下合成的聚苯胺盐比无磁场下合成的聚苯胺盐的链更加规整,热稳定性更好,掺杂程度以及结晶性能也有所提高;从红外光谱分析中可知,磁场取向作用使分子链更加伸展,分子链离域程度更大,但磁场没有明显地改变聚苯胺的基本单元结构. 相似文献
54.
55.
采用水热法添加醋酸钠制备了纳米羟基氧化镓(GaOOH)粉体和纳米GaOOH:Eu3+荧光粉,使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计对产物的形貌、晶相和发光性质进行了检测,结果发现醋酸钠(NaAc)在控制晶体粒径和形貌方面起到了非常重要的作用。在140℃水热条件下,未添加醋酸钠下得到的是纺锤体GaOOH,添加醋酸钠得到的是立方体块状GaOOH,在170℃水热条件下,添加醋酸钠得到的是纳米GaOOH粉体,平均粒径约为5nm,并简单讨论了不同形貌GaOOH的生长机制。比较不同温度添加醋酸钠制备的GaOOH:Eu3+荧光粉的发光性质发现,170℃得到的GaOOH:Eu3+发光强度140℃的样品,不同掺杂浓度发光性能结果表明Eu3+浓度为10%(摩尔分数)发光强度最高,是已报道的掺杂浓度的4倍,在掺杂浓度为15%(摩尔分数)观察到了浓度猝灭现象。 相似文献
56.
以高聚物负载型双金属阴离子配位化合物PBM为催化剂,合成了二氧化碳-环氧丙烷-己内酯三元共聚物(PPCL)。用FT-IR1、H-NM R、13C-NM R、DSC和W AXD等对PPCL进行了表征,并考察了反应单体比例对共聚物性能的影响。结果表明,ε-己内酯单元的引入,有效地提高了聚合物的特性黏数和玻璃化转变温度。随着ε-己内酯单元摩尔分数的增加,共聚物的体外降解速度加快。 相似文献
57.
研究了VO2 在3种阳离子交换膜PE01,NF120以及Nafion1135中的自扩散行为,采用UV-3802可见-紫外分光光度仪测定VO2 浓度,建立浓度与时间的关系,用Ct=Ct∞(1-exp(-αt))经验方程拟合实验数据,得到VO2 在3种膜PE01,NF120以及Nafion1135中的自扩散方程.结合Fick扩散理论,推导出了VO2 在膜中的扩散系数D与方程中经验常数α的关系,计算出了VO2 在3种阳离子交换器Nafion1135,PE01以及NF120中的扩散系数分别为2.66×10-13,2.09×10-13和3.26×10-13m2/s.在所研究的阳离子交换膜中,PE01膜对VO2 具有最好的阻隔作用. 相似文献
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